On the origin of reflectance-anisotropy oscillations during GaAs (001) homoepitaxy: Fid-Bau Portal

On the origin of reflectance-anisotropy oscillations during GaAs (001) homoepitaxy

Ortega-Gallegos, J. / Guevara-Macías, L.E. / Ariza-Flores, A.D. / Castro-García, R. / Lastras-Martínez, L.F. / Balderas-Navarro, R.E. / López-Estopier, R.E. / Lastras-Martínez, A.

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Ortega-Gallegos, J. / Guevara-Macías, L.E. / Ariza-Flores, A.D. / Castro-García, R. / Lastras-Martínez, L.F. / Balderas-Navarro, R.E. / López-Estopier, R.E. / Lastras-Martínez, A.

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Titel:

On the origin of reflectance-anisotropy oscillations during GaAs (001) homoepitaxy

Beteiligte:

Ortega-Gallegos, J. (Autor:in) / Guevara-Macías, L.E. (Autor:in) / Ariza-Flores, A.D. (Autor:in) / Castro-García, R. (Autor:in) / Lastras-Martínez, L.F. (Autor:in) / Balderas-Navarro, R.E. (Autor:in) / López-Estopier, R.E. (Autor:in) / Lastras-Martínez, A. (Autor:in)

Erschienen in:

Applied surface science ; 439 ; 963-967

Erscheinungsdatum:

01.01.2018

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.44

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