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Eigenschaften Epitaxialer Siliziumschichten Auf Spinell-Einkristallen

Heywang, W.

Characteristics of epitaxial silicon layers on spinel single crystals; it is possible to deposit epitaxial silicon layers on spinel surfaces of any orientation, main imperfections of these films being growth twins; characteristic dependence of carrier mobility on doping level is explained, both, by these twins and thermally introduced stresses. (In German with English abstract) (46324)

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Titel:

Eigenschaften Epitaxialer Siliziumschichten Auf Spinell-Einkristallen

Weitere Titelangaben:

Eigenschaften Epitaxialer Siliziumschichten Auf Spinell-Einkristallen

Beteiligte:

Heywang, W. (Autor:in)

Erschienen in:

Materials Research Bulletin ; 3

Erscheinungsdatum:

1968

Format / Umfang:

13 pages

DOI:

https://doi.org/10.1016/0025-5408(68)90003-2

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Elektronische Ressource

Sprache:

Deutsch

Schlagwörter:

© Metadata Copyright Elsevier B. V. All rights reserved.

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