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Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten
Vorrichtung (10) zum Herstellen von Hochvolt-Halbleiterbauelementen, mit einer Dünnungseinheit (18), in der Substrate oder auf Substraten aufgebrachte Schichten gedünnt werden, mit einer Erfassungseinheit (26), welche die Dicke von in der Dünnungseinheit gedünnten Substraten oder Schichten automatisch erfasst, mit einer Dünnungsdauerermittlungseinheit (31), die abhängig von einem Ausgangswert der Erfassungseinheit und abhängig von mindestens einem Sollwert der Dicke oder des Abtrags beim Dünnen und abhängig von mindestens einem Hilfswert automatisch einen Dünnungsdauerwert für eine Dünnungszeit festlegt, und einer Rückseitenkontakt-Ausbildungseinheit, die eine Rückseite der gedünnten Substrate oder Schichten mit einem elektrisch leitfähigen Rückseitenkontakt versieht, wobei der Hilfswert die gemittelte Ätzrate ist, die aus mindestens zwei berechneten Ätzraten von zuvor gedünnten Substraten berechnet wird, und mit einer Steuereinheit (30), welche die Dünnungseinheit (18) abhängig von dem Dünnungsdauerwert betreibt.
Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten
Vorrichtung (10) zum Herstellen von Hochvolt-Halbleiterbauelementen, mit einer Dünnungseinheit (18), in der Substrate oder auf Substraten aufgebrachte Schichten gedünnt werden, mit einer Erfassungseinheit (26), welche die Dicke von in der Dünnungseinheit gedünnten Substraten oder Schichten automatisch erfasst, mit einer Dünnungsdauerermittlungseinheit (31), die abhängig von einem Ausgangswert der Erfassungseinheit und abhängig von mindestens einem Sollwert der Dicke oder des Abtrags beim Dünnen und abhängig von mindestens einem Hilfswert automatisch einen Dünnungsdauerwert für eine Dünnungszeit festlegt, und einer Rückseitenkontakt-Ausbildungseinheit, die eine Rückseite der gedünnten Substrate oder Schichten mit einem elektrisch leitfähigen Rückseitenkontakt versieht, wobei der Hilfswert die gemittelte Ätzrate ist, die aus mindestens zwei berechneten Ätzraten von zuvor gedünnten Substraten berechnet wird, und mit einer Steuereinheit (30), welche die Dünnungseinheit (18) abhängig von dem Dünnungsdauerwert betreibt.
Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten
BITZER THOMAS DR (Autor:in)
16.07.2015
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
G05D
SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
,
Systeme zum Steuern oder Regeln nichtelektrischer veränderlicher Größen
/
C03C
Chemische Zusammensetzungen für Gläser, Glasuren oder Emails
,
CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23F
Nichtmechanisches Entfernen metallischer Stoffe von Oberflächen
,
NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACES
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
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