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VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERARBEITUNG VON DÜNNEN GLÄSERN
Die Erfindung betrifft einen Verbund (4) mit einem Glasträger (3) und einer Glasfolie (1) oder mit einem Siliziumwafer (2), wobei die Glasfolie (1) oder der Siliziumwafer (2) eine Dicke von höchstens 400 μm, besonders bevorzugt von weniger als 145 μm aufweist, wobei der Glasträger (3) eine größere Dicke als die Glasfolie (1) oder der Siliziumwafer (2) aufweist, und - eine Oberfläche (10) der Glasfolie (1) oder des Siliziumwafers (2) direkt adhäsiv mit einer Oberfläche (30) des Glasträgers (3) verbunden ist, und wobei die Differenz der linearen Ausdehnungskoeffizienten der Gläser von Glasträger und Glasfolie oder Siliziumwafer in einem Temperaturintervall in einem Temperaturintervall von 20 °C bis 200 °C betragsmäßig kleiner als 0,3*10-6 K-1, vorzugsweise kleiner als 0,2*10-6 K-1 ist.
The invention relates to a compound (4) comprising a glass carrier (3) and a glass film (1) or comprising a silicon wafer (2), wherein the glass film (1) or the silicon wafer (2) has a thickness of at most 400 μm, particularly preferably of less than 145 μm, wherein the glass carrier (3) has a greater thickness than the glass film (1) or the silicon wafer (2), and a surface (10) of the glass film (1) or of the silicon wafer (2) is directly adhesively joined to a surface (30) of the glass carrier (3), and wherein the difference of the linear expansion coefficients of the glasses of the glass carrier and glass film or silicon wafer is less than 0.3*10-6 K-1, preferably less than 0.2*10-6 K-1, according to amount, in a temperature interval of between 20 and 200 °C
L'invention concerne un ensemble (4) comprenant un support en verre (3) et une feuille de verre (1) ou une tranche de silicium (2). La feuille de verre (1) ou la tranche de silicium (2) présente une épaisseur de 400 μm maximum, de préférence encore inférieure à 145 μm, le support en verre (3) présentant une épaisseur supérieure à celle de la feuille en verre (1) ou de la tranche de silicium (2), et – une surface (10) de la feuille en verre (1) ou de la tranche de silicium (2) est reliée directement de manière adhésive à une surface (30) du support en verre (3), et la différence entre les coefficients de dilatation linéaire des verres du support en verre et de la feuille de verre ou de la tranche de silicium dans une intervalle de température de 20°C à 200°C est d'une valeur inférieure à 0,3*10-6 K-1, de préférence inférieure à 0,2*10-6 K-1.
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERARBEITUNG VON DÜNNEN GLÄSERN
Die Erfindung betrifft einen Verbund (4) mit einem Glasträger (3) und einer Glasfolie (1) oder mit einem Siliziumwafer (2), wobei die Glasfolie (1) oder der Siliziumwafer (2) eine Dicke von höchstens 400 μm, besonders bevorzugt von weniger als 145 μm aufweist, wobei der Glasträger (3) eine größere Dicke als die Glasfolie (1) oder der Siliziumwafer (2) aufweist, und - eine Oberfläche (10) der Glasfolie (1) oder des Siliziumwafers (2) direkt adhäsiv mit einer Oberfläche (30) des Glasträgers (3) verbunden ist, und wobei die Differenz der linearen Ausdehnungskoeffizienten der Gläser von Glasträger und Glasfolie oder Siliziumwafer in einem Temperaturintervall in einem Temperaturintervall von 20 °C bis 200 °C betragsmäßig kleiner als 0,3*10-6 K-1, vorzugsweise kleiner als 0,2*10-6 K-1 ist.
The invention relates to a compound (4) comprising a glass carrier (3) and a glass film (1) or comprising a silicon wafer (2), wherein the glass film (1) or the silicon wafer (2) has a thickness of at most 400 μm, particularly preferably of less than 145 μm, wherein the glass carrier (3) has a greater thickness than the glass film (1) or the silicon wafer (2), and a surface (10) of the glass film (1) or of the silicon wafer (2) is directly adhesively joined to a surface (30) of the glass carrier (3), and wherein the difference of the linear expansion coefficients of the glasses of the glass carrier and glass film or silicon wafer is less than 0.3*10-6 K-1, preferably less than 0.2*10-6 K-1, according to amount, in a temperature interval of between 20 and 200 °C
L'invention concerne un ensemble (4) comprenant un support en verre (3) et une feuille de verre (1) ou une tranche de silicium (2). La feuille de verre (1) ou la tranche de silicium (2) présente une épaisseur de 400 μm maximum, de préférence encore inférieure à 145 μm, le support en verre (3) présentant une épaisseur supérieure à celle de la feuille en verre (1) ou de la tranche de silicium (2), et – une surface (10) de la feuille en verre (1) ou de la tranche de silicium (2) est reliée directement de manière adhésive à une surface (30) du support en verre (3), et la différence entre les coefficients de dilatation linéaire des verres du support en verre et de la feuille de verre ou de la tranche de silicium dans une intervalle de température de 20°C à 200°C est d'une valeur inférieure à 0,3*10-6 K-1, de préférence inférieure à 0,2*10-6 K-1.
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERARBEITUNG VON DÜNNEN GLÄSERN
METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING THIN GLASSES
PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE VERRES MINCES
LENZEN FRANK (Autor:in) / PEUCHERT ULRICH (Autor:in) / HOU JAMES (Autor:in) / WIEGEL THOMAS (Autor:in)
09.06.2016
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC:
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
C03C
Chemische Zusammensetzungen für Gläser, Glasuren oder Emails
,
CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
H05K
PRINTED CIRCUITS
,
Gedruckte Schaltungen
Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten
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