Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Leistungshalbleitersubstrates
The power semiconductor substrate (10) comprises an isolated laminar base body (12). A sequence of layers, made up of thin coupler layers (20,22,24), sintered metal layers (30,32,34) and conductor layers (40,42,44), is arranged on a main surface (120,122). The base body is made of industrial ceramics which includes aluminum oxide, aluminum nitrite and silicon nitrite. An independent claim is also included for a method for fabricating a power semiconductor substrate.
Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Leistungshalbleitersubstrates
The power semiconductor substrate (10) comprises an isolated laminar base body (12). A sequence of layers, made up of thin coupler layers (20,22,24), sintered metal layers (30,32,34) and conductor layers (40,42,44), is arranged on a main surface (120,122). The base body is made of industrial ceramics which includes aluminum oxide, aluminum nitrite and silicon nitrite. An independent claim is also included for a method for fabricating a power semiconductor substrate.
Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Leistungshalbleitersubstrates
Method for producing a sintered high performance semiconductor substrate
Procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur de puissance fritté
GÖBL CHRISTIAN (Autor:in) / BRAML HEIKO DR (Autor:in) / HERMANN ULRICH (Autor:in)
09.05.2018
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
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