Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Procédé de revêtement
P rocédé de revêtement Procédé de revêtement, comprenant une étape de formation d’un revêtement d’accrochage (200) sur une surface d’un substrat (100), et une étape de formation d’un revêtement barrière (300) sur le revêtement d’accrochage (200). Le revêtement d’accrochage (200) est formé par dépôt chimique en phase vapeur, avec une température de dépôt supérieure à 1150°C, en particulier égale ou supérieure à 1200°C, d’un précurseur comprenant du silicium, et comprend des graines colonnaires de silicium cristallin. Figure pour l’abrégé : Fig. 1.
A method including a step of forming a bond coating on a surface of a substrate, and a step of forming a barrier coating on the bond coating. The bond coating is formed by chemical vapor deposition, at a deposition temperature higher than 150° C., in particular 1200° C. or higher, of a precursor including silicon, and includes columnar grains of crystalline silicon.
Procédé de revêtement
P rocédé de revêtement Procédé de revêtement, comprenant une étape de formation d’un revêtement d’accrochage (200) sur une surface d’un substrat (100), et une étape de formation d’un revêtement barrière (300) sur le revêtement d’accrochage (200). Le revêtement d’accrochage (200) est formé par dépôt chimique en phase vapeur, avec une température de dépôt supérieure à 1150°C, en particulier égale ou supérieure à 1200°C, d’un précurseur comprenant du silicium, et comprend des graines colonnaires de silicium cristallin. Figure pour l’abrégé : Fig. 1.
A method including a step of forming a bond coating on a surface of a substrate, and a step of forming a barrier coating on the bond coating. The bond coating is formed by chemical vapor deposition, at a deposition temperature higher than 150° C., in particular 1200° C. or higher, of a precursor including silicon, and includes columnar grains of crystalline silicon.
Procédé de revêtement
BOUILLON ERIC (Autor:in) / PIN LISA (Autor:in) / ARNAL SIMON (Autor:in) / COSSOU BENJAMIN (Autor:in)
19.07.2024
Patent
Elektronische Ressource
Französisch
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| Europäisches Patentamt | 2019
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