Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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PROCEDE DE REVETEMENT
The invention relates to a coating method comprising a step of forming a tie coating (200) on a surface of a substrate (100), and a step of forming a barrier coating (300) on the tie coating (200). The tie coating (200) is formed by chemical vapor deposition, at a deposition temperature higher than 1150°C, in particular 1200°C or higher, of a precursor comprising silicon, and comprises columnar grains of crystalline silicon.
Procédé de revêtement, comprenant une étape de formation d'un revêtement d'accrochage (200) sur une surface d'un substrat (100), et une étape de formation d'un revêtement barrière (300) sur le revêtement d'accrochage (200). Le revêtement d'accrochage (200) est formé par dépôt chimique en phase vapeur, avec une température de dépôt supérieure à 1150°C, en particulier égale ou supérieure à 1200°C, d'un précurseur comprenant du silicium, et comprend des grains colonnaires de silicium cristallin.
PROCEDE DE REVETEMENT
The invention relates to a coating method comprising a step of forming a tie coating (200) on a surface of a substrate (100), and a step of forming a barrier coating (300) on the tie coating (200). The tie coating (200) is formed by chemical vapor deposition, at a deposition temperature higher than 1150°C, in particular 1200°C or higher, of a precursor comprising silicon, and comprises columnar grains of crystalline silicon.
Procédé de revêtement, comprenant une étape de formation d'un revêtement d'accrochage (200) sur une surface d'un substrat (100), et une étape de formation d'un revêtement barrière (300) sur le revêtement d'accrochage (200). Le revêtement d'accrochage (200) est formé par dépôt chimique en phase vapeur, avec une température de dépôt supérieure à 1150°C, en particulier égale ou supérieure à 1200°C, d'un précurseur comprenant du silicium, et comprend des grains colonnaires de silicium cristallin.
PROCEDE DE REVETEMENT
COATING METHOD
BOUILLON ERIC (Autor:in) / PIN LISA (Autor:in) / ARNAL SIMON (Autor:in) / COSSOU BENJAMIN (Autor:in)
01.06.2023
Patent
Elektronische Ressource
Französisch
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