Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TARGET FOR SPATTERING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body suitably used as a target for spattering for forming an oxide semiconductor film of a semiconductor device having high properties by a spattering method and a semiconductor device containing oxide semiconductor film formed by using the oxide sintered body.SOLUTION: There is provided the oxide sintered body which is an oxide sintered body containing indium, tungsten and yttrium, and which contains a bixbyte type crystal phase of 80% or more and has an apparent density of more than 6.5 g/cmand 8.25 g/cmor less, and in which the content of tungsten with respect to the total of indium, tungsten and yttrium is more than 0.5 atom% and less than 30 atom% and the content of yttrium with respect to the total of indium, tungsten and yttrium is more than 0.5 atom% and less than 30 atom%. A semiconductor device 10 includes an oxide semiconductor film 14 formed by a sputtering method using a target for sputtering containing the oxide sintered body.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタリング法で形成するためのスパッタリング用ターゲットとして好適に用いられる酸化物焼結体およびそれを用いて形成される酸化物半導体膜を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】酸化物焼結体は、インジウムと、タングステンと、イットリウムと、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を８０％以上として含み、見かけ密度が６．５ｇ／ｃｍ3より大きく８．２５ｇ／ｃｍ3以下であり、インジウム、タングステンおよびイットリウムの合計に対するタングステンの含有率が０．５原子％より大きく３０原子％より小さく、インジウム、タングステンおよびイットリウムの合計に対するイットリウムの含有率が０．５原子％より大きく３０原子％より小さい。半導体デバイス１０は、酸化物焼結体を含むスパッタリング用ターゲット用いてスパッタリング法により形成した酸化物半導体膜１４を含む。【選択図】図１
OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TARGET FOR SPATTERING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered body suitably used as a target for spattering for forming an oxide semiconductor film of a semiconductor device having high properties by a spattering method and a semiconductor device containing oxide semiconductor film formed by using the oxide sintered body.SOLUTION: There is provided the oxide sintered body which is an oxide sintered body containing indium, tungsten and yttrium, and which contains a bixbyte type crystal phase of 80% or more and has an apparent density of more than 6.5 g/cmand 8.25 g/cmor less, and in which the content of tungsten with respect to the total of indium, tungsten and yttrium is more than 0.5 atom% and less than 30 atom% and the content of yttrium with respect to the total of indium, tungsten and yttrium is more than 0.5 atom% and less than 30 atom%. A semiconductor device 10 includes an oxide semiconductor film 14 formed by a sputtering method using a target for sputtering containing the oxide sintered body.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】特性の高い半導体デバイスの酸化物半導体膜をスパッタリング法で形成するためのスパッタリング用ターゲットとして好適に用いられる酸化物焼結体およびそれを用いて形成される酸化物半導体膜を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】酸化物焼結体は、インジウムと、タングステンと、イットリウムと、を含む酸化物焼結体であって、ビックスバイト型結晶相を８０％以上として含み、見かけ密度が６．５ｇ／ｃｍ3より大きく８．２５ｇ／ｃｍ3以下であり、インジウム、タングステンおよびイットリウムの合計に対するタングステンの含有率が０．５原子％より大きく３０原子％より小さく、インジウム、タングステンおよびイットリウムの合計に対するイットリウムの含有率が０．５原子％より大きく３０原子％より小さい。半導体デバイス１０は、酸化物焼結体を含むスパッタリング用ターゲット用いてスパッタリング法により形成した酸化物半導体膜１４を含む。【選択図】図１
OXIDE SINTERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, TARGET FOR SPATTERING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリング用ターゲット、ならびに半導体デバイス
MIYANAGA YOSHINORI (Autor:in) / AWATA HIDEAKI (Autor:in) / WATAYA KENICHI (Autor:in)
25.04.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SPATTERING TARGET, METAL OXIDE PRODUCING METHOD, AND SPATTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| Europäisches Patentamt | 2018
Europäisches Patentamt | 2019
| Europäisches Patentamt | 2017
SPATTERING TARGET MATERIAL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM
| Europäisches Patentamt | 2021
| Europäisches Patentamt | 2023