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OXIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND OXIDE FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered compact capable of stable film deposition even in high power in a d.c. sputtering method, a method for producing the same, and an oxide film.SOLUTION: Provided is an oxide sintered compact mainly consisting of indium, silicon and oxygen, having an Si/In atomic number ratio of 0.65 to 1.75 and having an indium oxide phase with a bixbyite structure by X-ray diffraction measurement, including a silicon phase surrounding the indium oxide phase and an indium silicate phase present on the boundaries of the oxide sintered compact, the indium oxide phase and the silicon phase are used as the main phases, the average grain size of the indium oxide phase is 50 to 250 μm, the indium silicate phase has a thortveitite-type structure by X-ray diffraction measurement, and its ratio is 10 mass% or lower to the whole.SELECTED DRAWING: None
【課題】直流スパッタリング法のように高いパワーにおいても、安定して成膜することが可能である酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜を提供する。【解決手段】主にインジウム、シリコン、酸素からなり、Ｓｉ／Ｉｎ原子数比で０．６５以上１．７５以下であり、Ｘ線回折測定でビックスバイト構造の酸化インジウム相を有する酸化物焼結体であって、酸化インジウム相を囲むシリコン相と、酸化物焼結体の粒界に存在する珪酸インジウム相とを有し、酸化インジウム相及び上記シリコン相が主相であり、酸化インジウム相が平均粒径５０μｍ〜２５０μｍであり、珪酸インジウム相がＸ線回折測定でトルトバイタイト型構造であり、全体に対し１０質量％以下である。【選択図】なし
OXIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND OXIDE FILM
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide sintered compact capable of stable film deposition even in high power in a d.c. sputtering method, a method for producing the same, and an oxide film.SOLUTION: Provided is an oxide sintered compact mainly consisting of indium, silicon and oxygen, having an Si/In atomic number ratio of 0.65 to 1.75 and having an indium oxide phase with a bixbyite structure by X-ray diffraction measurement, including a silicon phase surrounding the indium oxide phase and an indium silicate phase present on the boundaries of the oxide sintered compact, the indium oxide phase and the silicon phase are used as the main phases, the average grain size of the indium oxide phase is 50 to 250 μm, the indium silicate phase has a thortveitite-type structure by X-ray diffraction measurement, and its ratio is 10 mass% or lower to the whole.SELECTED DRAWING: None
【課題】直流スパッタリング法のように高いパワーにおいても、安定して成膜することが可能である酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜を提供する。【解決手段】主にインジウム、シリコン、酸素からなり、Ｓｉ／Ｉｎ原子数比で０．６５以上１．７５以下であり、Ｘ線回折測定でビックスバイト構造の酸化インジウム相を有する酸化物焼結体であって、酸化インジウム相を囲むシリコン相と、酸化物焼結体の粒界に存在する珪酸インジウム相とを有し、酸化インジウム相及び上記シリコン相が主相であり、酸化インジウム相が平均粒径５０μｍ〜２５０μｍであり、珪酸インジウム相がＸ線回折測定でトルトバイタイト型構造であり、全体に対し１０質量％以下である。【選択図】なし
OXIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND OXIDE FILM
酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜
SATO KEIICHI (Autor:in)
09.02.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET THIN FILM AND METHOD OF PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE SINTERED COMPACT
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Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2019