Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of producing an amorphous or crystalline oxide semiconductor thin film comprising indium and gallium having a high carrier mobility with an annealing treatment at a temperature lower than before and to provide an oxide sintered body comprising indium and gallium optimal for obtaining the same.SOLUTION: There is provided an oxide sintered body comprising an oxide of indium and gallium, which has a gallium content of 0.10 or more and 0.49 or less in terms of an atomic ratio Ga/(In+Ga) and an Lvalue of 50 or more and 68 or less in CIE1976 color system and is composed of an InOphase of a bixbyite type structure, a GaInOphase of a β-GaOtype structure other than the InOphase as a production phase or a GaInOphase of a β-GaOtype structure and a (Ga,In)Ophase.SELECTED DRAWING: None
【課題】高いキャリア移動度を有するインジウム及びガリウムからなる非晶質あるいは結晶質の酸化物半導体薄膜の製造が、従来と比較してより低い温度のアニール処理で可能になるスパッタリング用ターゲット、それを得るのに最適なインジウム及びガリウムからなる酸化物焼結体を提供すること。【解決手段】インジウム、及びガリウムの酸化物からなる酸化物焼結体であって、ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１０以上０．４９以下であり、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ＊値が５０以上６８以下であって、ビックスバイト型構造のＩｎ２Ｏ３相と、Ｉｎ２Ｏ３相以外の生成相としてβ−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相、あるいはβ−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相と（Ｇａ，Ｉｎ）２Ｏ３相によって構成されることを特徴とする酸化物焼結体である。【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of producing an amorphous or crystalline oxide semiconductor thin film comprising indium and gallium having a high carrier mobility with an annealing treatment at a temperature lower than before and to provide an oxide sintered body comprising indium and gallium optimal for obtaining the same.SOLUTION: There is provided an oxide sintered body comprising an oxide of indium and gallium, which has a gallium content of 0.10 or more and 0.49 or less in terms of an atomic ratio Ga/(In+Ga) and an Lvalue of 50 or more and 68 or less in CIE1976 color system and is composed of an InOphase of a bixbyite type structure, a GaInOphase of a β-GaOtype structure other than the InOphase as a production phase or a GaInOphase of a β-GaOtype structure and a (Ga,In)Ophase.SELECTED DRAWING: None
【課題】高いキャリア移動度を有するインジウム及びガリウムからなる非晶質あるいは結晶質の酸化物半導体薄膜の製造が、従来と比較してより低い温度のアニール処理で可能になるスパッタリング用ターゲット、それを得るのに最適なインジウム及びガリウムからなる酸化物焼結体を提供すること。【解決手段】インジウム、及びガリウムの酸化物からなる酸化物焼結体であって、ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．１０以上０．４９以下であり、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ＊値が５０以上６８以下であって、ビックスバイト型構造のＩｎ２Ｏ３相と、Ｉｎ２Ｏ３相以外の生成相としてβ−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相、あるいはβ−Ｇａ２Ｏ３型構造のＧａＩｎＯ３相と（Ｇａ，Ｉｎ）２Ｏ３相によって構成されることを特徴とする酸化物焼結体である。【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
酸化物焼結体及びスパッタリング用ターゲット
NAKAYAMA NORIYUKI (Autor:in) / NISHIMURA EIICHIRO (Autor:in) / MATSUMURA FUMIHIKO (Autor:in)
07.09.2017
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018