Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
OXIDE TARGET MATERIAL
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide target material capable of obtaining a uniform ZTO thin film in which generation of nodule can be suppressed, hardly generating abnormal discharge during sputtering, and generation of particles is also suppressed.SOLUTION: In an oxide target material containing Sn as much as 20 atom% to 50 atom%, to the total metal components, and having a residue comprising Zn and inevitable impurities, and having a metallic Sn phase having an equivalent circle diameter of 2.0 μm or more per 10,000 μmas many as less than 1, a metallic Sn phase having an equivalent circle diameter of 0.1 μm or more and less than 2.0 μm is contained preferably as many as 10 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 ノジュールの発生が抑制可能で、スパッタリングの際に異常放電が発生しにくく、パーティクルの発生を抑制した均一なＺＴＯ薄膜を得ることができる酸化物ターゲット材を提供する。【解決手段】 金属成分全体に対して、Ｓｎを２０原子％〜５０原子％含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物からなり、１００００μｍ２当たりで、２．０μｍ以上の円相当径を有する金属Ｓｎ相が１個未満である酸化物ターゲット材であり、０．１μｍ以上２．０μｍ未満の円相当径を有する金属Ｓｎ相は１０個以下であることが好ましい。【選択図】 図１
OXIDE TARGET MATERIAL
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oxide target material capable of obtaining a uniform ZTO thin film in which generation of nodule can be suppressed, hardly generating abnormal discharge during sputtering, and generation of particles is also suppressed.SOLUTION: In an oxide target material containing Sn as much as 20 atom% to 50 atom%, to the total metal components, and having a residue comprising Zn and inevitable impurities, and having a metallic Sn phase having an equivalent circle diameter of 2.0 μm or more per 10,000 μmas many as less than 1, a metallic Sn phase having an equivalent circle diameter of 0.1 μm or more and less than 2.0 μm is contained preferably as many as 10 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 ノジュールの発生が抑制可能で、スパッタリングの際に異常放電が発生しにくく、パーティクルの発生を抑制した均一なＺＴＯ薄膜を得ることができる酸化物ターゲット材を提供する。【解決手段】 金属成分全体に対して、Ｓｎを２０原子％〜５０原子％含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物からなり、１００００μｍ２当たりで、２．０μｍ以上の円相当径を有する金属Ｓｎ相が１個未満である酸化物ターゲット材であり、０．１μｍ以上２．０μｍ未満の円相当径を有する金属Ｓｎ相は１０個以下であることが好ましい。【選択図】 図１
OXIDE TARGET MATERIAL
酸化物ターゲット材
KUMAGAI TOMOMASA (Autor:in) / KAMISAKA SHUJIRO (Autor:in) / TAMADA YU (Autor:in)
05.04.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Preparation method of oxide target material and praseodymium-doped IGZO oxide target material
| Europäisches Patentamt | 2024
| Europäisches Patentamt | 2024