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OXIDE TARGET MATERIAL
To provide an oxide target material that resolves instability of threshold voltage, and is for forming a ZTO thin film constituting a channel layer of a TFT that drives a high-definition display or the like.SOLUTION: An oxide target material contains Sn of 20 atom%-50 atom% relative to the total content of metal components, with the balance being Zn and inevitable impurities. In the Labcolor system, ais -2.5 or less, and bis -0.3 or less; preferably, ais -3.0 or more and bis -0.8 or more. Relative to the total content of metal components, at least one of Al, Si, Ga, Mo and W may be contained by 0.005 atom%-4.000 atom% in total.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 閾値電圧の不安定性を抑制した、高精細のディスプレイなどを駆動するＴＦＴのチャネル層を構成するＺＴＯ薄膜を形成するための酸化物ターゲット材を提供する。【解決手段】 金属成分全体に対して、Ｓｎを２０原子％〜５０原子％含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物からなり、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊が−２．５以下、ｂ＊が−０．３以下であり、ａ＊は−３．０以上、ｂ＊は−０．８以上であることが好ましく、金属成分全体に対して、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、ＭｏおよびＷのうち１種以上を合計で０．００５原子％〜４．０００原子％含有することもできる。【選択図】 図１
OXIDE TARGET MATERIAL
To provide an oxide target material that resolves instability of threshold voltage, and is for forming a ZTO thin film constituting a channel layer of a TFT that drives a high-definition display or the like.SOLUTION: An oxide target material contains Sn of 20 atom%-50 atom% relative to the total content of metal components, with the balance being Zn and inevitable impurities. In the Labcolor system, ais -2.5 or less, and bis -0.3 or less; preferably, ais -3.0 or more and bis -0.8 or more. Relative to the total content of metal components, at least one of Al, Si, Ga, Mo and W may be contained by 0.005 atom%-4.000 atom% in total.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】 閾値電圧の不安定性を抑制した、高精細のディスプレイなどを駆動するＴＦＴのチャネル層を構成するＺＴＯ薄膜を形成するための酸化物ターゲット材を提供する。【解決手段】 金属成分全体に対して、Ｓｎを２０原子％〜５０原子％含有し、残部がＺｎおよび不可避的不純物からなり、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊が−２．５以下、ｂ＊が−０．３以下であり、ａ＊は−３．０以上、ｂ＊は−０．８以上であることが好ましく、金属成分全体に対して、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、ＭｏおよびＷのうち１種以上を合計で０．００５原子％〜４．０００原子％含有することもできる。【選択図】 図１
OXIDE TARGET MATERIAL
酸化物ターゲット材
KUMAGAI TOMOMASA (Autor:in) / UCHIYAMA HIROYUKI (Autor:in) / KAMISAKA SHUJIRO (Autor:in) / TAMADA YU (Autor:in)
20.12.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Preparation method of oxide target material and praseodymium-doped IGZO oxide target material
| Europäisches Patentamt | 2024
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