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OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
To provide an oxide sintered body capable of suppressing generation of crack during bonding even in an In-Ga-Zn-Sn-based oxide sintered body to which a large amount of Zn is added, and a sputtering target using the oxide sintered body.SOLUTION: There is provided an oxide sintered body containing hexagonal crystal layer compound with a metallic elements constituted by In, Ga, Zn and Sn and represented by InGaO(ZnO), wherein m is an integer of 1 to 6, and satisfying following formulae (1) to (3), wherein percentages of content of In, Zn and Sn (atom%) in total metallic elements excluding oxygen, contained in the oxide sintered body are [In], [Zn] and [Sn] respectively. [Zn]≥40 atom% (1) [In]≤15 atom% (2) [Sn]≤4 atom% (3).SELECTED DRAWING: None
【課題】Ｚｎが多量に添加されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物焼結体においても、ボンディング時の割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および当該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎから構成され、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは１〜６の整数）で表わされる六方晶層状化合物を含む酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの含有量の割合（原子％）を、それぞれ［Ｉｎ］、［Ｚｎ］及び［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足することを特徴とする酸化物焼結体。［Ｚｎ］≧４０原子％・・・（１）［Ｉｎ］≦１５原子％・・・（２）［Ｓｎ］≦４原子％・・・（３）【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
To provide an oxide sintered body capable of suppressing generation of crack during bonding even in an In-Ga-Zn-Sn-based oxide sintered body to which a large amount of Zn is added, and a sputtering target using the oxide sintered body.SOLUTION: There is provided an oxide sintered body containing hexagonal crystal layer compound with a metallic elements constituted by In, Ga, Zn and Sn and represented by InGaO(ZnO), wherein m is an integer of 1 to 6, and satisfying following formulae (1) to (3), wherein percentages of content of In, Zn and Sn (atom%) in total metallic elements excluding oxygen, contained in the oxide sintered body are [In], [Zn] and [Sn] respectively. [Zn]≥40 atom% (1) [In]≤15 atom% (2) [Sn]≤4 atom% (3).SELECTED DRAWING: None
【課題】Ｚｎが多量に添加されたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物焼結体においても、ボンディング時の割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および当該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎから構成され、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは１〜６の整数）で表わされる六方晶層状化合物を含む酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの含有量の割合（原子％）を、それぞれ［Ｉｎ］、［Ｚｎ］及び［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足することを特徴とする酸化物焼結体。［Ｚｎ］≧４０原子％・・・（１）［Ｉｎ］≦１５原子％・・・（２）［Ｓｎ］≦４原子％・・・（３）【選択図】なし
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
MISHIYAMA KOHEI (Autor:in) / TAO KOKI (Autor:in)
06.12.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2017