Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
갈륨이 산화인듐에 고용되어 있고, 원자비 Ga/(Ga+In)이 0.001 내지 0.12이고, 전체 금속 원자에 대한 인듐과 갈륨의 함유율이 80원자% 이상이며, InO의 빅스바이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
An oxide sintered body includes indium oxide and gallium solid-solved therein, the oxide sintered body having an atomic ratio “Ga/(Ga+In)” of 0.001 to 0.12, containing indium and gallium in an amount of 80 atom % or more based on total metal atoms, and having an In2O3 bixbyite structure.
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
갈륨이 산화인듐에 고용되어 있고, 원자비 Ga/(Ga+In)이 0.001 내지 0.12이고, 전체 금속 원자에 대한 인듐과 갈륨의 함유율이 80원자% 이상이며, InO의 빅스바이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
An oxide sintered body includes indium oxide and gallium solid-solved therein, the oxide sintered body having an atomic ratio “Ga/(Ga+In)” of 0.001 to 0.12, containing indium and gallium in an amount of 80 atom % or more based on total metal atoms, and having an In2O3 bixbyite structure.
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2017