Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC SENSOR, HEAD ASSEMBLY, HEAD STACK ASSEMBLY, HARD DISC DRIVE, PRINTER HEAD, AND INK-JET PRINTER DEVICE
To provide a piezoelectric thin film having a large piezoelectric constant (d33).SOLUTION: A piezoelectric thin film 3 includes a metal oxide. The metal oxide contains bismuth, potassium, titanium and an element M. The element M is at least one of magnesium and nickel. At least part of the metal oxide is tetragonal crystals having a perovskite structure. The (001) plane of at least part of the tetragonal crystals is oriented in the normal direction dn of a surface of the piezoelectric thin film 3. The spacing of the (001) planes of the tetragonal crystal is represented by c, the spacing of the (100) planes of the tetragonal crystal is represented by a, and c/a is 1.021 or more and 1.060 or less.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】大きい圧電定数（ｄ３３）を有する圧電薄膜の提供。【解決手段】圧電薄膜３は、金属酸化物を含み、金属酸化物が、ビスマス、カリウム、チタン、及び元素Ｍを含み、元素Ｍが、マグネシウム及びニッケルのうち少なくとも一種であり、少なくとも一部の金属酸化物が、ペロブスカイト構造を有する正方晶であり、少なくとも一部の正方晶の（００１）面が、圧電薄膜３の表面の法線方向ｄｎにおいて配向しており、正方晶の（００１）面の間隔が、ｃと表され、正方晶の（１００）面の間隔が、ａと表され、ｃ／ａが、１．０２１以上１．０６０以下である。【選択図】図２
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To provide a piezoelectric thin film having a large piezoelectric constant (d33).SOLUTION: A piezoelectric thin film 3 includes a metal oxide. The metal oxide contains bismuth, potassium, titanium and an element M. The element M is at least one of magnesium and nickel. At least part of the metal oxide is tetragonal crystals having a perovskite structure. The (001) plane of at least part of the tetragonal crystals is oriented in the normal direction dn of a surface of the piezoelectric thin film 3. The spacing of the (001) planes of the tetragonal crystal is represented by c, the spacing of the (100) planes of the tetragonal crystal is represented by a, and c/a is 1.021 or more and 1.060 or less.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】大きい圧電定数（ｄ３３）を有する圧電薄膜の提供。【解決手段】圧電薄膜３は、金属酸化物を含み、金属酸化物が、ビスマス、カリウム、チタン、及び元素Ｍを含み、元素Ｍが、マグネシウム及びニッケルのうち少なくとも一種であり、少なくとも一部の金属酸化物が、ペロブスカイト構造を有する正方晶であり、少なくとも一部の正方晶の（００１）面が、圧電薄膜３の表面の法線方向ｄｎにおいて配向しており、正方晶の（００１）面の間隔が、ｃと表され、正方晶の（１００）面の間隔が、ａと表され、ｃ／ａが、１．０２１以上１．０６０以下である。【選択図】図２
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圧電薄膜、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置
MORISHITA JUMPEI (Autor:in) / SATO YUSUKE (Autor:in) / FUNAKUBO HIROSHI (Autor:in)
03.09.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2022