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METAL OXYNITRIDE THIN FILM AND CAPACITIVE ELEMENT
To provide a metal oxynitride thin film having a ferroelectricity and a small dielectric loss.SOLUTION: A metal oxynitride thin film containing a metal oxynitride expressed by a general equation of ABOxNy where 2.000≤x≤3.275,0.150≤y≤1.000, A is one or more selected from Ba, Sr, and La, and B is Ta and/or Ti. Assuming that an ionic valence of A is a when A occupies an A-site of a perovskite structure, and an ionic valence of B is b when B occupies a B site of the perovskite structure, 6.7≤a+b≤7.3. The metal oxynitride has an area where a diffraction showing a center symmetry is generated and an area where a diffraction showing a non-center symmetry is generated.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】強誘電性を有しつつ、誘電損失が小さい金属酸窒化物薄膜を提供すること。【解決手段】一般式ＡＢＯｘＮｙで表される金属酸窒化物を含む金属酸窒化物薄膜であり、２．０００≦ｘ≦３．２７５、０．１５０≦ｙ≦１．０００であり、ＡがＢａ、ＳｒおよびＬａから選ばれる１つ以上、ＢがＴａおよび／またはＴｉであり、Ａがペロブスカイト構造のＡサイトを占めた時のイオン価数をａ、Ｂがペロブスカイト構造のＢサイトを占めた時のイオン価数をｂとした場合、６．７≦ａ＋ｂ≦７．３であり、金属酸窒化物は、中心対称性を示す回折を生じる領域と非中心対称性を示す回折を生じる領域とを有する。【選択図】図１
METAL OXYNITRIDE THIN FILM AND CAPACITIVE ELEMENT
To provide a metal oxynitride thin film having a ferroelectricity and a small dielectric loss.SOLUTION: A metal oxynitride thin film containing a metal oxynitride expressed by a general equation of ABOxNy where 2.000≤x≤3.275,0.150≤y≤1.000, A is one or more selected from Ba, Sr, and La, and B is Ta and/or Ti. Assuming that an ionic valence of A is a when A occupies an A-site of a perovskite structure, and an ionic valence of B is b when B occupies a B site of the perovskite structure, 6.7≤a+b≤7.3. The metal oxynitride has an area where a diffraction showing a center symmetry is generated and an area where a diffraction showing a non-center symmetry is generated.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】強誘電性を有しつつ、誘電損失が小さい金属酸窒化物薄膜を提供すること。【解決手段】一般式ＡＢＯｘＮｙで表される金属酸窒化物を含む金属酸窒化物薄膜であり、２．０００≦ｘ≦３．２７５、０．１５０≦ｙ≦１．０００であり、ＡがＢａ、ＳｒおよびＬａから選ばれる１つ以上、ＢがＴａおよび／またはＴｉであり、Ａがペロブスカイト構造のＡサイトを占めた時のイオン価数をａ、Ｂがペロブスカイト構造のＢサイトを占めた時のイオン価数をｂとした場合、６．７≦ａ＋ｂ≦７．３であり、金属酸窒化物は、中心対称性を示す回折を生じる領域と非中心対称性を示す回折を生じる領域とを有する。【選択図】図１
METAL OXYNITRIDE THIN FILM AND CAPACITIVE ELEMENT
金属酸窒化物薄膜および容量素子
YAMAZAKI KUMIKO (Autor:in)
30.08.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Metal oxynitride thin film, process for producing metal oxynitride thin film, and capacitor element
| Europäisches Patentamt | 2021
METAL OXYNITRIDE THIN FILM, PROCESS FOR PRODUCING METAL OXYNITRIDE THIN FILM, AND CAPACITOR ELEMENT
| Europäisches Patentamt | 2019