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SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
To make tanδ of a semiconductor manufacturing apparatus member low.SOLUTION: A surface that contacts plasma, of a lid 22 of a chamber 20, (namely plasma contact surface) is formed of a polycrystalline material comprising CeO2 and ZrO2 as main components. The content of CeO2 in the polycrystalline material is 12 mol% or more and 30 mol% or less, with the balance being ZrO2. The aggregate content of a tetragonal crystal and a cubic crystal included in crystal of the polycrystalline material is 90 mass% or more. The porosity of the polycrystalline material is 3% or less. Thereby, tanδ of the polycrystalline material can be made low.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】半導体製造装置部材のｔａｎδを小さくする。【解決手段】チャンバ２０の蓋部２２のプラズマに接する面（すなわち、プラズマ接触面）は、ＣｅＯ２およびＺｒＯ２を主成分とする多結晶体により形成される。当該多結晶体において、ＣｅＯ２の含有率は１２ｍｏｌ％以上かつ３０ｍｏｌ％以下であり、残部がＺｒＯ２である。当該多結晶体の結晶中に含まれる正方晶および立方晶の合計割合は９０質量％以上である。当該多結晶体の気孔率は３％以下である。これにより、多結晶体のｔａｎδを小さくすることができる。【選択図】図１
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
To make tanδ of a semiconductor manufacturing apparatus member low.SOLUTION: A surface that contacts plasma, of a lid 22 of a chamber 20, (namely plasma contact surface) is formed of a polycrystalline material comprising CeO2 and ZrO2 as main components. The content of CeO2 in the polycrystalline material is 12 mol% or more and 30 mol% or less, with the balance being ZrO2. The aggregate content of a tetragonal crystal and a cubic crystal included in crystal of the polycrystalline material is 90 mass% or more. The porosity of the polycrystalline material is 3% or less. Thereby, tanδ of the polycrystalline material can be made low.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】半導体製造装置部材のｔａｎδを小さくする。【解決手段】チャンバ２０の蓋部２２のプラズマに接する面（すなわち、プラズマ接触面）は、ＣｅＯ２およびＺｒＯ２を主成分とする多結晶体により形成される。当該多結晶体において、ＣｅＯ２の含有率は１２ｍｏｌ％以上かつ３０ｍｏｌ％以下であり、残部がＺｒＯ２である。当該多結晶体の結晶中に含まれる正方晶および立方晶の合計割合は９０質量％以上である。当該多結晶体の気孔率は３％以下である。これにより、多結晶体のｔａｎδを小さくすることができる。【選択図】図１
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
半導体製造装置部材
TAKAHASHI TOMONORI (Autor:in) / YOSHIDA SHINYA (Autor:in)
13.01.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
| Europäisches Patentamt | 2022
| Europäisches Patentamt | 2018