Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
To provide a method of making a ceramic device with a controlled roughness and a ceramic device having a controlled roughness produced by the method.SOLUTION: A method of making a ceramic device with a controlled roughness includes using a defocused laser beam to roughen a surface of a ceramic substrate, and removing one or more portions of the roughened surface without removing all of the roughened surface. If desired, the ceramic device may include reaction-bonded silicon carbide, and an opening may be formed in the device so that the device can be used to apply a clamping suction to a wafer surface. A ceramic surface with a controlled roughness is also disclosed. The defocused laser beam may be used to make the surface rough enough to prevent it from sticking to a mating element, and to have adequate wear resistance, but not so rough as to prevent the formation of sufficient suction to clamp the surface to a mating element.SELECTED DRAWING: Figure 8
【課題】制御された粗さを伴うセラミックデバイスを作製する方法、およびその方法によって得られた制御された粗さを伴うセラミックデバイスを提供する。【解決手段】制御された粗さを伴うセラミックデバイスを作製する方法は、デフォーカスレーザビームを用いてセラミック基板の表面を粗くすることと、粗面のすべてを除去することなく粗面の１つ以上の部分を除去することと、を含む。必要に応じて、セラミックデバイスは、反応結合炭化ケイ素を含んでいてもよく、デバイスを用いてウェハ表面にクランプ吸引を適用できるよう、デバイス内に開口部を形成してもよい。制御された粗さを伴うセラミック表面も開示されている。デフォーカスレーザビームを用いて、表面が相手側要素に貼り付くのを防ぎ、適切な耐摩耗性を有するほど十分に粗くしてもよいが、表面を相手側要素にクランプするのに十分な吸引が形成されることを妨げるほど粗くはできない。【選択図】図８
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
To provide a method of making a ceramic device with a controlled roughness and a ceramic device having a controlled roughness produced by the method.SOLUTION: A method of making a ceramic device with a controlled roughness includes using a defocused laser beam to roughen a surface of a ceramic substrate, and removing one or more portions of the roughened surface without removing all of the roughened surface. If desired, the ceramic device may include reaction-bonded silicon carbide, and an opening may be formed in the device so that the device can be used to apply a clamping suction to a wafer surface. A ceramic surface with a controlled roughness is also disclosed. The defocused laser beam may be used to make the surface rough enough to prevent it from sticking to a mating element, and to have adequate wear resistance, but not so rough as to prevent the formation of sufficient suction to clamp the surface to a mating element.SELECTED DRAWING: Figure 8
【課題】制御された粗さを伴うセラミックデバイスを作製する方法、およびその方法によって得られた制御された粗さを伴うセラミックデバイスを提供する。【解決手段】制御された粗さを伴うセラミックデバイスを作製する方法は、デフォーカスレーザビームを用いてセラミック基板の表面を粗くすることと、粗面のすべてを除去することなく粗面の１つ以上の部分を除去することと、を含む。必要に応じて、セラミックデバイスは、反応結合炭化ケイ素を含んでいてもよく、デバイスを用いてウェハ表面にクランプ吸引を適用できるよう、デバイス内に開口部を形成してもよい。制御された粗さを伴うセラミック表面も開示されている。デフォーカスレーザビームを用いて、表面が相手側要素に貼り付くのを防ぎ、適切な耐摩耗性を有するほど十分に粗くしてもよいが、表面を相手側要素にクランプするのに十分な吸引が形成されることを妨げるほど粗くはできない。【選択図】図８
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
ウェハ接触面用のレーザ粗面化された反応結合炭化ケイ素
NICHOLAS COOMBS (Autor:in) / JON COPPOLA (Autor:in) / MIKE AGHAJANIAN (Autor:in) / AARON CHRISS (Autor:in)
06.10.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
| Europäisches Patentamt | 2023
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE FABRICATION
| Europäisches Patentamt | 2023
Joining of Pure Carbide Reaction-Bonded Silicon Carbide Ceramics
| British Library Online Contents | 2005
Crack-healing in reaction-bonded silicon carbide
| British Library Online Contents | 2004
Preparation method of reaction-bonded silicon carbide
| Europäisches Patentamt | 2016