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LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic device having a controlled roughness, which comprises: a step of using a defocused laser beam to roughen a surface of a ceramic substrate; and removing one or more parts of the roughened surface without removing all of the roughened surface. If desired, the ceramic device can include reaction-bonded silicon carbide and an opening can be formed in the device so that a clamping suction using the device can be applied to the wafer surface. In addition, disclosed is a ceramic surface having a controlled roughness. The defocused laser beam can be used to roughen the surface so that the surface is sufficiently rough to prevent adhesion to a bonding element and is not so rough as to prevent the surface from forming sufficient suction to clamp to the bonding element while having adequate wear resistance.
제어된 조도를 갖는 세라믹 디바이스를 제조하는 방법은 디포커싱된 레이저 빔을 사용하여 세라믹 기판의 표면을 조면화하는 단계, 및 조면화된 표면의 전부를 제거하지 않고 조면화된 표면의 하나 이상의 부분을 제거하는 단계를 포함한다. 원하는 경우, 세라믹 디바이스는 반응 결합된 탄화규소를 포함할 수 있고, 디바이스를 사용하여 웨이퍼 표면에 클램핑 흡입을 적용할 수 있도록 디바이스에 개구를 형성할 수 있다. 제어된 조도를 갖는 세라믹 표면이 또한 개시된다. 디포커싱된 레이저 빔은 표면이 결합 요소에 달라붙는 것을 방지할 만큼 충분히 거칠고, 적절한 내마모성을 갖지만 표면을 결합 요소에 클램핑할 만큼 충분한 흡입을 형성하는 것을 방지할 만큼 거칠지는 않게 표면을 조면화하는 데 사용될 수 있다.
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic device having a controlled roughness, which comprises: a step of using a defocused laser beam to roughen a surface of a ceramic substrate; and removing one or more parts of the roughened surface without removing all of the roughened surface. If desired, the ceramic device can include reaction-bonded silicon carbide and an opening can be formed in the device so that a clamping suction using the device can be applied to the wafer surface. In addition, disclosed is a ceramic surface having a controlled roughness. The defocused laser beam can be used to roughen the surface so that the surface is sufficiently rough to prevent adhesion to a bonding element and is not so rough as to prevent the surface from forming sufficient suction to clamp to the bonding element while having adequate wear resistance.
제어된 조도를 갖는 세라믹 디바이스를 제조하는 방법은 디포커싱된 레이저 빔을 사용하여 세라믹 기판의 표면을 조면화하는 단계, 및 조면화된 표면의 전부를 제거하지 않고 조면화된 표면의 하나 이상의 부분을 제거하는 단계를 포함한다. 원하는 경우, 세라믹 디바이스는 반응 결합된 탄화규소를 포함할 수 있고, 디바이스를 사용하여 웨이퍼 표면에 클램핑 흡입을 적용할 수 있도록 디바이스에 개구를 형성할 수 있다. 제어된 조도를 갖는 세라믹 표면이 또한 개시된다. 디포커싱된 레이저 빔은 표면이 결합 요소에 달라붙는 것을 방지할 만큼 충분히 거칠고, 적절한 내마모성을 갖지만 표면을 결합 요소에 클램핑할 만큼 충분한 흡입을 형성하는 것을 방지할 만큼 거칠지는 않게 표면을 조면화하는 데 사용될 수 있다.
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
웨이퍼 접촉 표면용 레이저 조면화 반응 결합 탄화규소
NICHOLAS COOMBS (Autor:in) / JON COPPOLA (Autor:in) / MIKE AGHAJANIAN (Autor:in) / AARON CHRISS (Autor:in)
06.10.2023
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE
Europäisches Patentamt | 2023
|LASER-ROUGHENED REACTION-BONDED SILICON CARBIDE FOR WAFER CONTACT SURFACE FABRICATION
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