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    スパッタリングターゲット

    To provide a sputtering target to which direct-current sputtering is allowed, and which can control a thin film composition after sputtering to a desired composition.SOLUTION: A sputtering target includes Mg, Ti, O and N based on the compositions as 0<50 at%, 0

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    Titel:

    スパッタリングターゲット

    Erscheinungsdatum:

    19.04.2022

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Japanisch

    Klassifikation:

    IPC:  C04B Kalk , LIME / C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / G11B Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler , INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER

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