Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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OXIDE SINTERED BODY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE OBTAINED BY USING THE SAME
본 발명은 고속 성막과 무노듈(nodule-less)을 실현할 수 있는 스퍼터링용 타겟 또는 이온 도금용 타블렛, 그것을 얻는데 최적인 산화물 소결물체와 그것의 제조 방법, 그것을 이용해 얻어지고 청색광의 흡수가 적은 낮은 저항의 투명 도전막에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 인듐과 갈륨을 산화물로서 함유하고 있고, 빅스바이트형 구조의 InO상이 주요 결정상을 형성하며, β-GaO형 구조의 GaInO상, 또는 GaInO상과 (Ga, In)O상이 평균 입경 5 ㎛ 이하의 결정립으로 InO상에 미세하게 분산되어 있고, 갈륨의 함량이 Ga/(In+Ga)의 원자수비로 10 원자% 이상 내지 35 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 산화물 소결물체를 제공한다.
A tablet for ion plating, which enables to attain high rate film-formation and a nodule-less, an oxide sintered body suitable for obtaining the same and a production method therefor, and a transparent conductive film having low absorption of blue light and low specific resistance, obtained by using the same. It is provided by an oxide sintered body having indium and gallium as an oxide, characterized in that an In 2 O 3 phase with a bixbyite-type structure forms a major crystal phase, and a GaInO 3 phase of a ²-Ga 2 O 3 -type structure, or GaInO 3 phase and a (Ga, In) 2 O 3 phase is finely dispersed therein, as a crystal grain having an average particle diameter of equal to or smaller than 5 µm, and a content of gallium is equal to or higher than 10% by atom and below 35% by atom as atom number ratio of Ga/(In+Ga), and wherein density of the oxide sintered body is from 3.4 to 5.5 g/cm 3 , or the like.
OXIDE SINTERED BODY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE OBTAINED BY USING THE SAME
본 발명은 고속 성막과 무노듈(nodule-less)을 실현할 수 있는 스퍼터링용 타겟 또는 이온 도금용 타블렛, 그것을 얻는데 최적인 산화물 소결물체와 그것의 제조 방법, 그것을 이용해 얻어지고 청색광의 흡수가 적은 낮은 저항의 투명 도전막에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 인듐과 갈륨을 산화물로서 함유하고 있고, 빅스바이트형 구조의 InO상이 주요 결정상을 형성하며, β-GaO형 구조의 GaInO상, 또는 GaInO상과 (Ga, In)O상이 평균 입경 5 ㎛ 이하의 결정립으로 InO상에 미세하게 분산되어 있고, 갈륨의 함량이 Ga/(In+Ga)의 원자수비로 10 원자% 이상 내지 35 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 산화물 소결물체를 제공한다.
A tablet for ion plating, which enables to attain high rate film-formation and a nodule-less, an oxide sintered body suitable for obtaining the same and a production method therefor, and a transparent conductive film having low absorption of blue light and low specific resistance, obtained by using the same. It is provided by an oxide sintered body having indium and gallium as an oxide, characterized in that an In 2 O 3 phase with a bixbyite-type structure forms a major crystal phase, and a GaInO 3 phase of a ²-Ga 2 O 3 -type structure, or GaInO 3 phase and a (Ga, In) 2 O 3 phase is finely dispersed therein, as a crystal grain having an average particle diameter of equal to or smaller than 5 µm, and a content of gallium is equal to or higher than 10% by atom and below 35% by atom as atom number ratio of Ga/(In+Ga), and wherein density of the oxide sintered body is from 3.4 to 5.5 g/cm 3 , or the like.
OXIDE SINTERED BODY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE OBTAINED BY USING THE SAME
산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재
08.08.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
B32B
LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
,
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
H01B
CABLES
,
Kabel
Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY, PRODUCTION METHOD THEREFOR, TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2015
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2015
OXIDE SINTERED BODY AND OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2017