Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SILICON NITRIDE POWDER PRODUCTION METHOD SILICON NITRIDE POWDER SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME
본 발명의 목적은 높은 기계적 강도 및 열전도율을 갖는 질화규소 소결체 및 그것을 이용한 회로 기판을 제공하는 것이다. 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 연속 소성로에 의해 유동시키면서 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로 가열하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말의 제조 방법을 제공한다. 또한, 입자 표면으로부터 입자 표면 바로 아래 3 ㎚까지 존재하는 산소의 함유 비율을 FSO(질량%)라고 하고, 입자 표면 바로 아래 3 ㎚로부터 내측에 존재하는 산소의 함유 비율을 FIO(질량%)라고 하며, 비표면적을 FS(㎡/g)라고 한 경우에, FS/FSO가 8∼25이고, FS/FIO가 22 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 분말, 상기 질화규소 분말을 소결하여 얻어지는 질화규소 소결체, 및 상기 질화규소 소결체를 이용한 회로 기판을 제공한다.
An object of the present invention is to provide a silicon nitride sintered body having high mechanical strength and thermal conductivity, and a circuit substrate using the same. A method for producing a silicon nitride powder, including heating an amorphous Si-N(-H)-based compound in which assuming that the specific surface area is RS (m 2 /g) and the oxygen content ratio is RO (mass%), RS/RO is 500 or more, at a temperature rising rate of 12 to 100°C/min in a temperature range from 1,000 to 1,400°C while flowing the compound by a continuous firing furnace, is provided. Also, a silicon nitride powder wherein assuming that the content ratio of oxygen existing in a region from the particle surface to 3 nm beneath the particle surface is FSO (mass%), the content ratio of oxygen existing in the more inward side than 3 nm beneath the particle surface is FIO (mass%), and the specific surface area is FS (m 2 /g), FS/FSO is from 8 to 25 and FS/FIO is 22 or more; a silicon nitride sintered body obtained by sintering the silicon nitride powder; and a circuit substrate using the silicon nitride sintered body, are provided.
SILICON NITRIDE POWDER PRODUCTION METHOD SILICON NITRIDE POWDER SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME
본 발명의 목적은 높은 기계적 강도 및 열전도율을 갖는 질화규소 소결체 및 그것을 이용한 회로 기판을 제공하는 것이다. 비표면적을 RS(㎡/g), 산소 함유 비율을 RO(질량%)라고 한 경우에, RS/RO가 500 이상인 비정질 Si-N(-H)계 화합물을 연속 소성로에 의해 유동시키면서 1000℃∼1400℃의 온도 범위에서는 12℃/분∼100℃/분의 승온 속도로 가열하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말의 제조 방법을 제공한다. 또한, 입자 표면으로부터 입자 표면 바로 아래 3 ㎚까지 존재하는 산소의 함유 비율을 FSO(질량%)라고 하고, 입자 표면 바로 아래 3 ㎚로부터 내측에 존재하는 산소의 함유 비율을 FIO(질량%)라고 하며, 비표면적을 FS(㎡/g)라고 한 경우에, FS/FSO가 8∼25이고, FS/FIO가 22 이상인 것을 특징으로 하는 질화규소 분말, 상기 질화규소 분말을 소결하여 얻어지는 질화규소 소결체, 및 상기 질화규소 소결체를 이용한 회로 기판을 제공한다.
An object of the present invention is to provide a silicon nitride sintered body having high mechanical strength and thermal conductivity, and a circuit substrate using the same. A method for producing a silicon nitride powder, including heating an amorphous Si-N(-H)-based compound in which assuming that the specific surface area is RS (m 2 /g) and the oxygen content ratio is RO (mass%), RS/RO is 500 or more, at a temperature rising rate of 12 to 100°C/min in a temperature range from 1,000 to 1,400°C while flowing the compound by a continuous firing furnace, is provided. Also, a silicon nitride powder wherein assuming that the content ratio of oxygen existing in a region from the particle surface to 3 nm beneath the particle surface is FSO (mass%), the content ratio of oxygen existing in the more inward side than 3 nm beneath the particle surface is FIO (mass%), and the specific surface area is FS (m 2 /g), FS/FSO is from 8 to 25 and FS/FIO is 22 or more; a silicon nitride sintered body obtained by sintering the silicon nitride powder; and a circuit substrate using the silicon nitride sintered body, are provided.
SILICON NITRIDE POWDER PRODUCTION METHOD SILICON NITRIDE POWDER SILICON NITRIDE SINTERED BODY AND CIRCUIT SUBSTRATE USING SAME
질화규소 분말의 제조 방법 및 질화규소 분말, 및 질화규소 소결체 및 그것을 이용한 회로 기판
30.08.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
| Europäisches Patentamt | 2018
| Europäisches Patentamt | 2015
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