Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Oxide Sintered Body and Tablets Obtained by Processing Same
본 발명은, 태양전지에 적절한 투명 도전막을 고속 성막할 수 있고, 크랙이나 갈라짐 또는 스플래쉬를 일으키지 않고 성막을 계속할 수 있는 이온 도금용 태블렛, 그것을 얻기 위한 산화물 소결체를 제공한다. 산화 인듐을 주성분으로 하고, 텅스텐을 첨가 원소로서 함유하며, 텅스텐의 함유량이 W/(In+W) 원자수비로 0.001 ~ 0.15인 산화물 소결체이며, 상기 산화물 소결체는 텅스텐이 고용되어 있지 않는 빅스바이트형 구조의 산화 인듐상으로 이루어진 결정립(A), 및 텅스텐이 고용되어 있는 빅스바이트형 구조의 산화 인듐상으로 이루어진 결정립(B)에 의해 주로 구성되며, 밀도가 3.4 ~ 5.5 g/cm인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체 등에 의해 제공한다.
The present invention discloses a tablet for ion plating, which is capable of providing high speed film formation of a transparent conductive film suitable for a solar cell, and continuing film formation without generating crack, fracture or splash; and an oxide sintered body for obtaining the same. The oxide sintered body etc. comprising indium oxide as a main component, and tungsten as an additive element, content of tungsten being 0.001 to 0.15, as an atomic ratio of W/ (In + W), characterized in that said oxide sintered body is mainly composed of a crystal grain (A) composed of the indium oxide phase with a bixbyite type structure, where tungsten does not make a solid solution, and a crystal grain (B) composed of the indium oxide phase with a bixbyite type structure, where tungsten does not make a solid solution, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm 3 .
Oxide Sintered Body and Tablets Obtained by Processing Same
본 발명은, 태양전지에 적절한 투명 도전막을 고속 성막할 수 있고, 크랙이나 갈라짐 또는 스플래쉬를 일으키지 않고 성막을 계속할 수 있는 이온 도금용 태블렛, 그것을 얻기 위한 산화물 소결체를 제공한다. 산화 인듐을 주성분으로 하고, 텅스텐을 첨가 원소로서 함유하며, 텅스텐의 함유량이 W/(In+W) 원자수비로 0.001 ~ 0.15인 산화물 소결체이며, 상기 산화물 소결체는 텅스텐이 고용되어 있지 않는 빅스바이트형 구조의 산화 인듐상으로 이루어진 결정립(A), 및 텅스텐이 고용되어 있는 빅스바이트형 구조의 산화 인듐상으로 이루어진 결정립(B)에 의해 주로 구성되며, 밀도가 3.4 ~ 5.5 g/cm인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체 등에 의해 제공한다.
The present invention discloses a tablet for ion plating, which is capable of providing high speed film formation of a transparent conductive film suitable for a solar cell, and continuing film formation without generating crack, fracture or splash; and an oxide sintered body for obtaining the same. The oxide sintered body etc. comprising indium oxide as a main component, and tungsten as an additive element, content of tungsten being 0.001 to 0.15, as an atomic ratio of W/ (In + W), characterized in that said oxide sintered body is mainly composed of a crystal grain (A) composed of the indium oxide phase with a bixbyite type structure, where tungsten does not make a solid solution, and a crystal grain (B) composed of the indium oxide phase with a bixbyite type structure, where tungsten does not make a solid solution, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm 3 .
Oxide Sintered Body and Tablets Obtained by Processing Same
산화물 소결체 및 그것을 가공한 태블렛
20.07.2018
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
OXIDE SINTERED BODY AND TABLETS OBTAINED BY PROCESSING SAME
| Europäisches Patentamt | 2016
Oxide sintered body and tablets obtained by processing same
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND TABLET OBTAINED BY PROCESSING SAME
| Europäisches Patentamt | 2016
Oxide sintered body and tablet obtained by processing same
| Europäisches Patentamt | 2015