Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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CERAMIC MATERIAL MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS SPUTTERING TARGET MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING CERAMIC MATERIAL
본 발명의 세라믹스 재료는, 마그네슘, 알루미늄, 산소 및 질소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로서, 산화마그네슘에 질화알루미늄이 고용된 MgO-AlN 고용체의 결정상을 주상으로 하는 것이다. MgO-AlN 고용체는, CuKα선을 이용했을 때의 (200)면 및 (220)면의 XRD 피크가 각각 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=42.9˚∼44.8˚, 62.3˚∼65.2˚에 나타나는 것으로 하는 것이 바람직하고, (111)면의 XRD 피크가 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=36.9˚∼39˚에 나타나는 것으로 하는 것이 바람직하다.
Each of electrostatic chucks 1A to 1F includes a susceptor 11A having an adsorption face 11a of adsorbing a semiconductor, and an electrostatic chuck electrode 4 embedded in the susceptor. The susceptor includes a plate shaped main body 3 and a surface corrosion resistant layer 2 including the adsorption face 2. The surface corrosion resistant layer 2 is made of a ceramic material comprising magnesium, aluminum, oxygen and nitrogen as main components. The ceramic material comprises a main phase comprising MgO—AlN solid solution wherein aluminum nitride is dissolved into magnesium oxide.
CERAMIC MATERIAL MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS SPUTTERING TARGET MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING CERAMIC MATERIAL
본 발명의 세라믹스 재료는, 마그네슘, 알루미늄, 산소 및 질소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로서, 산화마그네슘에 질화알루미늄이 고용된 MgO-AlN 고용체의 결정상을 주상으로 하는 것이다. MgO-AlN 고용체는, CuKα선을 이용했을 때의 (200)면 및 (220)면의 XRD 피크가 각각 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=42.9˚∼44.8˚, 62.3˚∼65.2˚에 나타나는 것으로 하는 것이 바람직하고, (111)면의 XRD 피크가 산화마그네슘의 입방정의 피크와 질화알루미늄의 입방정의 피크 사이인 2θ=36.9˚∼39˚에 나타나는 것으로 하는 것이 바람직하다.
Each of electrostatic chucks 1A to 1F includes a susceptor 11A having an adsorption face 11a of adsorbing a semiconductor, and an electrostatic chuck electrode 4 embedded in the susceptor. The susceptor includes a plate shaped main body 3 and a surface corrosion resistant layer 2 including the adsorption face 2. The surface corrosion resistant layer 2 is made of a ceramic material comprising magnesium, aluminum, oxygen and nitrogen as main components. The ceramic material comprises a main phase comprising MgO—AlN solid solution wherein aluminum nitride is dissolved into magnesium oxide.
CERAMIC MATERIAL MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS SPUTTERING TARGET MEMBER AND METHOD FOR PRODUCING CERAMIC MATERIAL
세라믹스 재료, 반도체 제조 장치용 부재, 스퍼터링 타겟 부재 및 세라믹스 재료의 제조 방법
23.07.2018
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
| Europäisches Patentamt | 2018
Europäisches Patentamt | 2018
Europäisches Patentamt | 2019