Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
IGZO IGZO IGZO SPUTTERING TARGET AND IGZO FILM
인듐 (In), 갈륨 (Ga), 아연 (Zn) 및 산소 (O) 로 이루어지는 IGZO 소결체 스퍼터링 타깃으로서, In, Ga, Zn 이 0.575 ≥ In/(In ＋ Ga) ≥ 0.500 이고, 또한 Zn/(In ＋ Ga ＋ Zn) ＜ 0.333 의 조성 범위이고, (InGa)ZnO(1 ＞ x ＞ 0) 상으로 이루어지는 단일상의 조직을 갖거나, 또는 (InGa)ZnO(1 ＞ x ＞ 0) 상과 InO상으로 이루어지는 2 상 구조의 조직을 갖고, 당해 InO상의 최대 직경이 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃. 스퍼터링용 타깃의 저벌크 저항화 및 캐리어 농도를 일정한 범위 이하로 하고, 또한 타깃의 고밀도화를 달성하고, 아킹의 발생을 최소한으로 억제하여, DC 스퍼터링이 가능한 IGZO 타깃 기술을 제공한다.
IGZO IGZO IGZO SPUTTERING TARGET AND IGZO FILM
인듐 (In), 갈륨 (Ga), 아연 (Zn) 및 산소 (O) 로 이루어지는 IGZO 소결체 스퍼터링 타깃으로서, In, Ga, Zn 이 0.575 ≥ In/(In ＋ Ga) ≥ 0.500 이고, 또한 Zn/(In ＋ Ga ＋ Zn) ＜ 0.333 의 조성 범위이고, (InGa)ZnO(1 ＞ x ＞ 0) 상으로 이루어지는 단일상의 조직을 갖거나, 또는 (InGa)ZnO(1 ＞ x ＞ 0) 상과 InO상으로 이루어지는 2 상 구조의 조직을 갖고, 당해 InO상의 최대 직경이 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃. 스퍼터링용 타깃의 저벌크 저항화 및 캐리어 농도를 일정한 범위 이하로 하고, 또한 타깃의 고밀도화를 달성하고, 아킹의 발생을 최소한으로 억제하여, DC 스퍼터링이 가능한 IGZO 타깃 기술을 제공한다.
IGZO IGZO IGZO SPUTTERING TARGET AND IGZO FILM
IGZO 스퍼터링 타깃 및 IGZO 막
29.04.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch