Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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GALLIUM NITRIDE SINTERED BODY OR GALLIUM NITRIDE MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
특수한 장치를 이용하는 일 없이, 고밀도이고 저산소량의 질화갈륨 소결체 또는 질화갈륨 성형체를 제공한다. 제1형태에 따르면, 밀도가 2.5g/㎤ 이상 5.0g/㎤ 미만이며, X선 회절 측정에 의한 질화갈륨의 (002)면의 피크에 대한 산화갈륨의 (002)면의 피크 강도비가 3% 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 소결체를 얻을 수 있다. 제2형태에 따르면, 별도의 상으로서 존재하는 질화갈륨 상 및 금속 갈륨 상을 포함하고, Ga/(Ga+N)의 몰비가 55% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 갈륨 침투 질화갈륨 성형물이 얻어진다.
The present invention provides a gallium nitride molded article which have high density and low oxygen content without using a special apparatus. More particularly, the present invention provides a metal gallium-impregnated gallium nitride molded article which is characterized by comprising a gallium nitride phase and a metal gallium phase that exist as separate phases and having a molar ratio, Ga/(Ga + N), of 55% to 80%, can be obtained.
GALLIUM NITRIDE SINTERED BODY OR GALLIUM NITRIDE MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
특수한 장치를 이용하는 일 없이, 고밀도이고 저산소량의 질화갈륨 소결체 또는 질화갈륨 성형체를 제공한다. 제1형태에 따르면, 밀도가 2.5g/㎤ 이상 5.0g/㎤ 미만이며, X선 회절 측정에 의한 질화갈륨의 (002)면의 피크에 대한 산화갈륨의 (002)면의 피크 강도비가 3% 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 소결체를 얻을 수 있다. 제2형태에 따르면, 별도의 상으로서 존재하는 질화갈륨 상 및 금속 갈륨 상을 포함하고, Ga/(Ga+N)의 몰비가 55% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 갈륨 침투 질화갈륨 성형물이 얻어진다.
The present invention provides a gallium nitride molded article which have high density and low oxygen content without using a special apparatus. More particularly, the present invention provides a metal gallium-impregnated gallium nitride molded article which is characterized by comprising a gallium nitride phase and a metal gallium phase that exist as separate phases and having a molar ratio, Ga/(Ga + N), of 55% to 80%, can be obtained.
GALLIUM NITRIDE SINTERED BODY OR GALLIUM NITRIDE MOLDED ARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
질화갈륨 소결체 또는 질화갈륨 성형물 및 그들의 제조방법
17.07.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
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