Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING SAME AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
도전성 산화물은, In과, Al과, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소인 M과, O를 포함하고, 또한 결정질 AlMO를 포함한다. 도전성 산화물의 제조 방법은, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 M으로 할 때, AlO분말과 MO 분말을 포함하는 제1 혼합물을 조제하는 공정(S10)과, 제1 혼합물을 가소함으로써 결정질 AlMO분말을 제작하는 공정(S20)과, 결정질 AlMO분말과 InO분말을 포함하는 제2 혼합물을 조제하는 공정(S30)과, 제2 혼합물을 성형함으로써 성형체를 얻는 공정(S40)과, 성형체를 소결하는 공정(S50)을 포함한다. 이것에 의해, 저렴하고 스퍼터링의 타겟에 적합하게 이용되어 고물성의 산화물 반도체막을 얻을 수 있는 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막을 제공할 수 있다.
An electrically conductive oxide comprises In, Al, at least one element M selected from the group consisting of Zn and Mg and O, and also comprises crystalline Al2MO4. A method for producing an electrically conductive oxide comprises: a step of preparing a first mixture comprising an Al2O3 powder and an MO powder, wherein M represents at least one element selected from the group consisting of Zn and Mg (S10); a step of pre-sintering the first mixture to produce a crystalline Al2MO4 powder (S20); a step of preparing a second mixture comprising the crystalline Al2MO4 powder and an In2O3 powder (S30); a step of molding the second mixture to produce a molding (S40); and a step of sintering the molding (S50). Thus, provided are: an electrically conductive oxide which is inexpensive, can be used suitably for a sputtering target, and enables the production of an oxide semiconductor film having high physical properties; a method for producing the electrically conductive oxide; and an oxide semiconductor film.
ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING SAME AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
도전성 산화물은, In과, Al과, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소인 M과, O를 포함하고, 또한 결정질 AlMO를 포함한다. 도전성 산화물의 제조 방법은, Zn 및 Mg으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원소를 M으로 할 때, AlO분말과 MO 분말을 포함하는 제1 혼합물을 조제하는 공정(S10)과, 제1 혼합물을 가소함으로써 결정질 AlMO분말을 제작하는 공정(S20)과, 결정질 AlMO분말과 InO분말을 포함하는 제2 혼합물을 조제하는 공정(S30)과, 제2 혼합물을 성형함으로써 성형체를 얻는 공정(S40)과, 성형체를 소결하는 공정(S50)을 포함한다. 이것에 의해, 저렴하고 스퍼터링의 타겟에 적합하게 이용되어 고물성의 산화물 반도체막을 얻을 수 있는 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막을 제공할 수 있다.
An electrically conductive oxide comprises In, Al, at least one element M selected from the group consisting of Zn and Mg and O, and also comprises crystalline Al2MO4. A method for producing an electrically conductive oxide comprises: a step of preparing a first mixture comprising an Al2O3 powder and an MO powder, wherein M represents at least one element selected from the group consisting of Zn and Mg (S10); a step of pre-sintering the first mixture to produce a crystalline Al2MO4 powder (S20); a step of preparing a second mixture comprising the crystalline Al2MO4 powder and an In2O3 powder (S30); a step of molding the second mixture to produce a molding (S40); and a step of sintering the molding (S50). Thus, provided are: an electrically conductive oxide which is inexpensive, can be used suitably for a sputtering target, and enables the production of an oxide semiconductor film having high physical properties; a method for producing the electrically conductive oxide; and an oxide semiconductor film.
ELECTRICALLY CONDUCTIVE OXIDE AND METHOD FOR PRODUCING SAME AND OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막
23.07.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTER METHOD FOR PRODUCING SAME TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTER METHOD FOR PRODUCING SAME TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTER METHOD FOR PRODUCING SAME TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
| Europäisches Patentamt | 2016