Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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ITO ITO ITO ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
In, Sn, O, 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체로서, 원자비로 Sn/(In ＋ Sn) 이 1.8 ％ 이상 3.7 ％ 이하 (단, 3.7 ％ 를 제외한다) 가 되는 Sn 을 함유하고, 소결체의 평균 결정 입경이 1.0 ∼ 5.0 ㎛ 의 범위이고, 장축 직경 0.1 ∼ 1.0 ㎛ 인 공공이 면적 비율 0.5 ％ 이하이고, 산화인듐상과 산화주석 리치상의 2 상으로 되어 있고, 산화주석 리치상의 면적률이 0.1 ∼ 1.0 ％ 이하이고, 산화주석 리치상의 95 ％ 이상이 입계 삼중점에 존재하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 투명 도전막 형성에 바람직한, 저온에서도 저저항의 막을 얻는 것이 가능한 저산화주석 조성의 ITO 스퍼터링 타겟이고, 타겟의 입경이 작고, 고밀도이고, 강도가 높고, 아킹이나 노듈을 저감시킬 수 있는 스퍼터링 타겟을 제공할 수 있다.
ITO ITO ITO ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
In, Sn, O, 및 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체로서, 원자비로 Sn/(In ＋ Sn) 이 1.8 ％ 이상 3.7 ％ 이하 (단, 3.7 ％ 를 제외한다) 가 되는 Sn 을 함유하고, 소결체의 평균 결정 입경이 1.0 ∼ 5.0 ㎛ 의 범위이고, 장축 직경 0.1 ∼ 1.0 ㎛ 인 공공이 면적 비율 0.5 ％ 이하이고, 산화인듐상과 산화주석 리치상의 2 상으로 되어 있고, 산화주석 리치상의 면적률이 0.1 ∼ 1.0 ％ 이하이고, 산화주석 리치상의 95 ％ 이상이 입계 삼중점에 존재하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 투명 도전막 형성에 바람직한, 저온에서도 저저항의 막을 얻는 것이 가능한 저산화주석 조성의 ITO 스퍼터링 타겟이고, 타겟의 입경이 작고, 고밀도이고, 강도가 높고, 아킹이나 노듈을 저감시킬 수 있는 스퍼터링 타겟을 제공할 수 있다.
ITO ITO ITO ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
ITO 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 그리고 ITO 투명 도전막 및 ITO 투명 도전막의 제조 방법
10.10.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
| Europäisches Patentamt | 2016
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| Europäisches Patentamt | 2018
Europäisches Patentamt | 2018
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