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Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSiN-yAO-zBO(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, AO및 BO원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSiN-yAO-zBO(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, AO및 BO원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
고열전도 질화규소 소결체의 제조방법
06.12.2019
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
| Europäisches Patentamt | 2018
Manufacturing method of silicon nitride sintered body having high thermal conductivity
Europäisches Patentamt | 2017
METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON NITRIDE SINTERED BODY WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
| Europäisches Patentamt | 2020
Manufacturing method of silicon nitride sintered body having high thermal conductivity
| Europäisches Patentamt | 2017
SILICON NITRIDE SINTERED BODY WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| Europäisches Patentamt | 2018