Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
The present invention relates to a method for manufacturing a silicon nitride sintered body having a high thermal conductivity. More specifically, the present invention provides a silicon nitride sintered body comprising: a step (S10) of blending Si, A_2O_3, and B_2O_3 raw material powders based on complete nitration of Si to follow a composition of xSi_3N_4-yA_2O_3-zB_2O_3 wherein x, y, and z are mol%; x, y, and z > 0; and A and B are rare earth metals selected from a group consisting of Y, Sc, Nd, and Yb; a step (S20) of mixing the blended raw material powders; a step (S30) of molding the mixed raw material powders; a step (S40) of nitrifying the molded body; and a step (S50) of sintering the nitrified molding body. The present invention provides the silicon nitride sintered body which is advantageous to exhibit a high thermal conductivity by reducing oxygen amounts within the sintered body, and is excellent in terms of thermal and mechanical properties by controlling sintering conditions.
본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSiN-yAO-zBO(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, AO및 BO원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
The present invention relates to a method for manufacturing a silicon nitride sintered body having a high thermal conductivity. More specifically, the present invention provides a silicon nitride sintered body comprising: a step (S10) of blending Si, A_2O_3, and B_2O_3 raw material powders based on complete nitration of Si to follow a composition of xSi_3N_4-yA_2O_3-zB_2O_3 wherein x, y, and z are mol%; x, y, and z > 0; and A and B are rare earth metals selected from a group consisting of Y, Sc, Nd, and Yb; a step (S20) of mixing the blended raw material powders; a step (S30) of molding the mixed raw material powders; a step (S40) of nitrifying the molded body; and a step (S50) of sintering the nitrified molding body. The present invention provides the silicon nitride sintered body which is advantageous to exhibit a high thermal conductivity by reducing oxygen amounts within the sintered body, and is excellent in terms of thermal and mechanical properties by controlling sintering conditions.
본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSiN-yAO-zBO(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, AO및 BO원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
고열전도 질화규소 소결체의 제조방법
KIM JIN MYUNG (Autor:in) / PARK YOUNG JO (Autor:in) / KIM HAI DOO (Autor:in) / LEE JAE WOOK (Autor:in) / KO JAE WOONG (Autor:in) / KIM HA NEUL (Autor:in)
03.09.2018
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
Manufacturing Of Sintered Silicon Nitride Body With High Thermal Conductivity
Europäisches Patentamt | 2019
Manufacturing method of silicon nitride sintered body having high thermal conductivity
| Europäisches Patentamt | 2017
Manufacturing method of silicon nitride sintered body having high thermal conductivity
Europäisches Patentamt | 2017
METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON NITRIDE SINTERED BODY WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
| Europäisches Patentamt | 2020
SILICON NITRIDE SINTERED BODY WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
| Europäisches Patentamt | 2018