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CERAMIC MATERIAL AND SPUTTERING-TARGET MEMBER
본 발명의 세라믹스 재료는, 마그네슘, 갈륨, 리튬 및 산소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로서, 산화마그네슘에 산화갈륨 및 산화리튬이 고용(固溶)된 고용체의 결정상을 주상(主相)으로 하는 것이다. 이 고용체는, CuKα선을 이용했을 때의 (200)면의 XRD 피크가 산화마그네슘의 입방정(立方晶)의 피크보다 큰 2θ=42.91° 이상에 나타나는 것이 바람직하고, 2θ=42.91°∼43.28°에 나타나는 것이 보다 바람직하며, 2θ=42.91°∼43.02°에 나타나는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 세라믹스 재료는 Li와 Ga의 몰비 Li/Ga가 0.80 이상 1.20 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The present invention provides a ceramic material comprising magnesium, gallium, lithium, and oxygen as main components, wherein a crystal phase of a solid solution attained by dissolving gallium oxide and lithium oxide in magnesium oxide is a main phase. An XRD peak of a (200) plane of the solid solution with CuKα rays preferably appears at 2θ=42.91° or more which is larger than an angle at which a peak of a Cubic crystal of magnesium oxide appears, more preferably appears at 2θ=42.91° to 43.28°, and further preferably appears at 2θ=42.91° to 43.02°. In the ceramic material, a molar ratio Li/Ga of Li to Ga is preferably 0.80 or more and 1.20 or less.
CERAMIC MATERIAL AND SPUTTERING-TARGET MEMBER
본 발명의 세라믹스 재료는, 마그네슘, 갈륨, 리튬 및 산소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로서, 산화마그네슘에 산화갈륨 및 산화리튬이 고용(固溶)된 고용체의 결정상을 주상(主相)으로 하는 것이다. 이 고용체는, CuKα선을 이용했을 때의 (200)면의 XRD 피크가 산화마그네슘의 입방정(立方晶)의 피크보다 큰 2θ=42.91° 이상에 나타나는 것이 바람직하고, 2θ=42.91°∼43.28°에 나타나는 것이 보다 바람직하며, 2θ=42.91°∼43.02°에 나타나는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 세라믹스 재료는 Li와 Ga의 몰비 Li/Ga가 0.80 이상 1.20 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.
The present invention provides a ceramic material comprising magnesium, gallium, lithium, and oxygen as main components, wherein a crystal phase of a solid solution attained by dissolving gallium oxide and lithium oxide in magnesium oxide is a main phase. An XRD peak of a (200) plane of the solid solution with CuKα rays preferably appears at 2θ=42.91° or more which is larger than an angle at which a peak of a Cubic crystal of magnesium oxide appears, more preferably appears at 2θ=42.91° to 43.28°, and further preferably appears at 2θ=42.91° to 43.02°. In the ceramic material, a molar ratio Li/Ga of Li to Ga is preferably 0.80 or more and 1.20 or less.
CERAMIC MATERIAL AND SPUTTERING-TARGET MEMBER
세라믹스 재료 및 스퍼터링 타겟 부재
06.08.2020
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
G11B
Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler
,
INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
/
H01L
Halbleiterbauelemente
,
SEMICONDUCTOR DEVICES
/
H10N