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    SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

    본 발명은 스퍼터링 시에 있어서 기판 파티클 증가로 연결되는 미세 노듈의 발생량을 억제할 수 있는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 스퍼터면의 표면 조도 Ra가 0.5㎛ 이하이고, 또한 레이저 현미경으로 측정되는 Svk값이 1.1㎛ 이하인 세라믹스계 스퍼터링 타깃.

    An object of the present invention is to provide a sputtering target that can suppress a generation amount of fine nodules which lead to an increase in substrate particles during sputtering, and a method for producing the same. A ceramic sputtering target, the sputtering target having a surface roughness Ra on a sputtering surface of 0.5 μm or less and an Svk value measured with a laser microscope on the sputtering surface of 1.1 μm or less.

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    An object of the present invention is to provide a sputtering target that can suppress a generation amount of fine nodules which lead to an increase in substrate particles during sputtering, and a method for producing the same. A ceramic sputtering target, the sputtering target having a surface roughness Ra on a sputtering surface of 0.5 μm or less and an Svk value measured with a laser microscope on the sputtering surface of 1.1 μm or less.

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    본 발명은 스퍼터링 시에 있어서 기판 파티클 증가로 연결되는 미세 노듈의 발생량을 억제할 수 있는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 스퍼터면의 표면 조도 Ra가 0.5㎛ 이하이고, 또한 레이저 현미경으로 측정되는 Svk값이 1.1㎛ 이하인 세라믹스계 스퍼터링 타깃.

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    Titel:

    SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET

    Weitere Titelangaben:

    스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법

    Erscheinungsdatum:

    04.03.2022

    Medientyp:

    Patent

    Format:

    Elektronische Ressource

    Sprache:

    Koreanisch

    Klassifikation:

    IPC:  C23C Beschichten metallischer Werkstoffe , COATING METALLIC MATERIAL / C04B Kalk , LIME / H01J Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen , ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS

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