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SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
This sputtering target is characterized by having a metal copper phase and a copper oxide phase, wherein the volume fraction of the copper oxide phase is in a range exceeding 80 vol% and less than or equal to 90 vol%, the ratio IP1/IP2 between peak intensity IP1 of CuO and peak intensity IP2 of Cu and Cu2O as indicated by the result of an X-ray photoelectron spectroscopic analysis is in a range of 0.03 to 0.4.
La cible de pulvérisation d'après la présente invention est caractérisée en ce qu'elle contient une phase de cuivre métallique et une phase d'oxyde de cuivre. La fraction volumique de la phase d'oxyde de cuivre se situe dans une plage supérieure à 80 % en volume et inférieure ou égale à 90 % en volume. Comme le montre le résultat d'une analyse par spectroscopie photoélectronique à rayons X, le rapport IP1/IP2 entre un pic d'intensité IP1 de CuO et un pic d'intensité IP2 de Cu et de Cu2O se situe dans une plage de 0,03 à 0,4.
このスパッタリングターゲットは、金属銅相と酸化銅相とを有し、前記酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされており、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が、０．０３以上０．４以下の範囲内とされていることを特徴とする。
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
This sputtering target is characterized by having a metal copper phase and a copper oxide phase, wherein the volume fraction of the copper oxide phase is in a range exceeding 80 vol% and less than or equal to 90 vol%, the ratio IP1/IP2 between peak intensity IP1 of CuO and peak intensity IP2 of Cu and Cu2O as indicated by the result of an X-ray photoelectron spectroscopic analysis is in a range of 0.03 to 0.4.
La cible de pulvérisation d'après la présente invention est caractérisée en ce qu'elle contient une phase de cuivre métallique et une phase d'oxyde de cuivre. La fraction volumique de la phase d'oxyde de cuivre se situe dans une plage supérieure à 80 % en volume et inférieure ou égale à 90 % en volume. Comme le montre le résultat d'une analyse par spectroscopie photoélectronique à rayons X, le rapport IP1/IP2 entre un pic d'intensité IP1 de CuO et un pic d'intensité IP2 de Cu et de Cu2O se situe dans une plage de 0,03 à 0,4.
このスパッタリングターゲットは、金属銅相と酸化銅相とを有し、前記酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされており、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が、０．０３以上０．４以下の範囲内とされていることを特徴とする。
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
SAITO ATSUSHI (Autor:in) / IO KENSUKE (Autor:in)
07.09.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| Europäisches Patentamt | 2020
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| Europäisches Patentamt | 2020
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| Europäisches Patentamt | 2020
SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
Europäisches Patentamt | 2022
SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2019