Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부 전극층을 포함하는 적층체를 포함하고, 복수개의 유전체층은 Ba, 제1 및 제2 희토류 원소를 포함하여 구성되는 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가지며, 제1 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차는 제2 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차에 비해 작고, 복수개의 결정립 중 적어도 일부는 결정립의 입계를 따라 위치하는 제1 영역과 결정립의 중앙부에 위치하는 제2 영역을 가지고 있으며, 제1 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합은 제2 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합보다도 많은 적층형 전자부품이 제공된다.
A multilayer electronic component having a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers. Each of the dielectric layers has a plurality of crystal grains including a perovskite-type compound containing Ba, a first rare earth element and a second rare earth element. A difference between a positive trivalent ion radius of the first rare earth element and a positive divalent ion radius of Ba is smaller than a difference between a positive trivalent ion radius of the second rare earth element and the positive divalent ion radius of Ba. A sum of an amount of the first rare earth element and the second rare earth element in a first region along a grain boundary is larger than a sum of an amount of the first rare earth element and the second rare earth element in a second region in a center portion of the crystal grain.
Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부 전극층을 포함하는 적층체를 포함하고, 복수개의 유전체층은 Ba, 제1 및 제2 희토류 원소를 포함하여 구성되는 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가지며, 제1 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차는 제2 희토류 원소의 양 3가의 이온 반경과 Ba의 양 2가의 이온 반경의 차에 비해 작고, 복수개의 결정립 중 적어도 일부는 결정립의 입계를 따라 위치하는 제1 영역과 결정립의 중앙부에 위치하는 제2 영역을 가지고 있으며, 제1 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합은 제2 영역에서의 제1 희토류 원소의 양과 제2 희토류 원소의 양의 합보다도 많은 적층형 전자부품이 제공된다.
A multilayer electronic component having a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of internal electrode layers. Each of the dielectric layers has a plurality of crystal grains including a perovskite-type compound containing Ba, a first rare earth element and a second rare earth element. A difference between a positive trivalent ion radius of the first rare earth element and a positive divalent ion radius of Ba is smaller than a difference between a positive trivalent ion radius of the second rare earth element and the positive divalent ion radius of Ba. A sum of an amount of the first rare earth element and the second rare earth element in a first region along a grain boundary is larger than a sum of an amount of the first rare earth element and the second rare earth element in a second region in a center portion of the crystal grain.
Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
적층형 전자부품 및 적층형 전자부품의 제조 방법
18.08.2022
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT
| Europäisches Patentamt | 2021
MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT
| Europäisches Patentamt | 2020
Multilayer Electronic Component and Method for Manufacturing Multilayer Electronic Component
| Europäisches Patentamt | 2021
Multilayer electronic component and method for manufacturing multilayer electronic component
| Europäisches Patentamt | 2023
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| Europäisches Patentamt | 2022