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Synthesis method of sillicon nitride powder and sintered body
본 발명은 규소 분말 69~98중량%와, α상 질화규소 분말 1~30중량%와, 이산화규소 분말 1~10중량%를 포함하는 입도 8~10㎛의 혼합분말을 준비하는 혼합분말 준비단계 및 상기 혼합분말을 0.85~1 atm의 질소가스 분위기에서 1450~1750℃의 온도에서 5~20시간 동안 열처리하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 열처리 단계 이전에 600℃의 온도에서 질소가스 및 수소가스가 혼합된 제1 혼합가스를 투입하고, 1000℃의 온도에서 수분, 질소가스, 수소가스 및 불화수소가스가 혼합된 제2 혼합가스를 투입하며, 상기 열처리 단계가 완료된 후, 상기 제1 혼합가스 및 제2 혼합가스의 공급을 중단하고, 열처리된 상기 혼합분말을 서냉하여 질화규소 분말을 수득하는 냉각 단계를 포함하는 질화규소 분말 제조방법과, 상기 질화규소 분말 93~98중량%에 산화이트륨 1~5중량%, 질화알루미늄 0.5~1중량% 및 산화하프늄 0.5~1중량%를 포함하는 소결조제를 첨가한 혼합분말을 준비하는 혼합분말 준비단계 및 상기 혼합분말을 몰드에 충진한 후, 0.85~1atm의 질소가스 분위기에서 150~300kg/cm2의 압력으로 가압하면서 1750~1850℃의 온도로 2~6시간동안 유지하는 가압소결을 통해 질화규소 소결체를 제조하는 가압소결 단계를 포함하는 질화규소 소결체 제조방법에 관한 것이다. 상기와 같은 본 발명에 의하면, 입자의 크기가 미세하면서 종횡비가 1에 가까운 균일한 입도를 가지고, 소결에 적합한 표면 산소량 및 내부산소량을 동시에 만족하는 질화규소 분말을 제조하고, 제조된 질화규소 분말을 이용하여 질화규소 소결체를 제조함에 따라 열전도성 및 고온에서의 기계적 강도가 우수한 질화규소 회로기판에 적용할 수 있는 질화규소 소결체를 제공할 수 있다.
A synthesis method of silicon nitride powder including preparing mixed powder having a particle size of 8 to 10 µm which includes 69 to 98 wt% of silicon powder, 1 to 30 wt% of α-phase silicon nitride powder, and 1 to 10 wt% of silicon dioxide powder; performing heat treatment on the mixed powder in a nitrogen gas atmosphere of 0.85 to 1 atm at a temperature of 1,450 to 1,750° C. for 5 to 20 hours; and cooling the mixed powder gradually to obtain silicon nitride powder,; and performing pressure sintering on a silicon nitride sintered body by filling the mixed powder into a mold and then keeping the mixed powder at a temperature of 1,750 to 1,850° C. for 2 to 6 hours while pressure of 150 to 300 kg/cm2 is applied thereto in a nitrogen gas atmosphere of 0.85 to 1 atm.
Synthesis method of sillicon nitride powder and sintered body
본 발명은 규소 분말 69~98중량%와, α상 질화규소 분말 1~30중량%와, 이산화규소 분말 1~10중량%를 포함하는 입도 8~10㎛의 혼합분말을 준비하는 혼합분말 준비단계 및 상기 혼합분말을 0.85~1 atm의 질소가스 분위기에서 1450~1750℃의 온도에서 5~20시간 동안 열처리하는 열처리 단계를 포함하되, 상기 열처리 단계 이전에 600℃의 온도에서 질소가스 및 수소가스가 혼합된 제1 혼합가스를 투입하고, 1000℃의 온도에서 수분, 질소가스, 수소가스 및 불화수소가스가 혼합된 제2 혼합가스를 투입하며, 상기 열처리 단계가 완료된 후, 상기 제1 혼합가스 및 제2 혼합가스의 공급을 중단하고, 열처리된 상기 혼합분말을 서냉하여 질화규소 분말을 수득하는 냉각 단계를 포함하는 질화규소 분말 제조방법과, 상기 질화규소 분말 93~98중량%에 산화이트륨 1~5중량%, 질화알루미늄 0.5~1중량% 및 산화하프늄 0.5~1중량%를 포함하는 소결조제를 첨가한 혼합분말을 준비하는 혼합분말 준비단계 및 상기 혼합분말을 몰드에 충진한 후, 0.85~1atm의 질소가스 분위기에서 150~300kg/cm2의 압력으로 가압하면서 1750~1850℃의 온도로 2~6시간동안 유지하는 가압소결을 통해 질화규소 소결체를 제조하는 가압소결 단계를 포함하는 질화규소 소결체 제조방법에 관한 것이다. 상기와 같은 본 발명에 의하면, 입자의 크기가 미세하면서 종횡비가 1에 가까운 균일한 입도를 가지고, 소결에 적합한 표면 산소량 및 내부산소량을 동시에 만족하는 질화규소 분말을 제조하고, 제조된 질화규소 분말을 이용하여 질화규소 소결체를 제조함에 따라 열전도성 및 고온에서의 기계적 강도가 우수한 질화규소 회로기판에 적용할 수 있는 질화규소 소결체를 제공할 수 있다.
A synthesis method of silicon nitride powder including preparing mixed powder having a particle size of 8 to 10 µm which includes 69 to 98 wt% of silicon powder, 1 to 30 wt% of α-phase silicon nitride powder, and 1 to 10 wt% of silicon dioxide powder; performing heat treatment on the mixed powder in a nitrogen gas atmosphere of 0.85 to 1 atm at a temperature of 1,450 to 1,750° C. for 5 to 20 hours; and cooling the mixed powder gradually to obtain silicon nitride powder,; and performing pressure sintering on a silicon nitride sintered body by filling the mixed powder into a mold and then keeping the mixed powder at a temperature of 1,750 to 1,850° C. for 2 to 6 hours while pressure of 150 to 300 kg/cm2 is applied thereto in a nitrogen gas atmosphere of 0.85 to 1 atm.
Synthesis method of sillicon nitride powder and sintered body
질화규소 분말 및 질화규소 소결체의 제조방법
27.02.2024
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C01B
NON-METALLIC ELEMENTS
,
Nichtmetallische Elemente
/
B28B
Formgeben von Ton oder anderen keramischen Stoffzusammensetzungen, Schlacke oder von Mischungen, die zementartiges Material enthalten, z.B. Putzmörtel
,
SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS, SLAG OR MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
/
C04B
Kalk
,
LIME
Synthesis method of sillicon nitride powder and sintered body
Europäisches Patentamt | 2023
|SILICON NITRIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON NITRIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2025
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