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NIOBIUM OXIDE SPUTTERING TARGET, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND NIOBIUM OXIDE FILM
본 발명은, 직류 (DC) 스퍼터링을 가능하게 하는 산화 니오브 스퍼터링 타깃 및 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 산화 니오브 스퍼터링 타깃은, 산화 니오브 소결체로서, 상기 소결체의 두께 방향의 전역에서, 비저항이 0.001 ∼ 0.05 Ω·㎝ 인 것을 특징으로 한다.
NIOBIUM OXIDE SPUTTERING TARGET, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND NIOBIUM OXIDE FILM
본 발명은, 직류 (DC) 스퍼터링을 가능하게 하는 산화 니오브 스퍼터링 타깃 및 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 산화 니오브 스퍼터링 타깃은, 산화 니오브 소결체로서, 상기 소결체의 두께 방향의 전역에서, 비저항이 0.001 ∼ 0.05 Ω·㎝ 인 것을 특징으로 한다.
NIOBIUM OXIDE SPUTTERING TARGET, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND NIOBIUM OXIDE FILM
산화 니오브 스퍼터링 타깃, 그 제조 방법 및 산화 니오브막
UMEMOTO KEITA (Autor:in) / ZHANG SHOUBIN (Autor:in)
28.10.2015
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
Niobium oxide sputtering target, production method therefor, and niobium oxide film
Europäisches Patentamt | 2015
|Niobium oxide plane target preparation method and niobium oxide plane target
Europäisches Patentamt | 2015
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