Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
본 발명은, 순도가 4N 이상이고, 밀도가 98 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 탄화 텅스텐 또는 탄화 티탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃. 순도를 고순도로 유지함과 함께 밀도가 높고, 균일하고 또한 고경도이며, 안정적인 고속 성막이 가능하고 파티클의 발생이 적은, 탄화 텅스텐 스퍼터링 또는 탄화 티탄으로 이루어지는 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다.
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
본 발명은, 순도가 4N 이상이고, 밀도가 98 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 탄화 텅스텐 또는 탄화 티탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃. 순도를 고순도로 유지함과 함께 밀도가 높고, 균일하고 또한 고경도이며, 안정적인 고속 성막이 가능하고 파티클의 발생이 적은, 탄화 텅스텐 스퍼터링 또는 탄화 티탄으로 이루어지는 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다.
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
탄화 텅스텐 또는 탄화 티탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃
OHASHI KAZUMASA (Autor:in) / ODA KUNIHIRO (Autor:in)
13.07.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
| Europäisches Patentamt | 2018
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
| Europäisches Patentamt | 2016
SPUTTERING TARGET COMPRISING TUNGSTEN CARBIDE OR TITANIUM CARBIDE
| Europäisches Patentamt | 2015
Preparation method of tungsten aluminum carbide -titanium carbide hard material
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2020