Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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METAL-FREE MONOLITHIC EPITAXIAL GRAPHENE-ON-DIAMOND PWB WITH OPTICAL WAVEGUIDE
According to some embodiments of the present invention, an apparatus comprises a circuit board made of polycrystalline diamond. The circuit board is formed by thermolysis of a preceramic polymer layer. A plurality of tubes formed in the circuit board comprise a plurality of terminals on one or more surfaces of the circuit board. Each tube comprises a graphene layer operable to allow each tube to conduct a current. Each layer of graphene is formed by thermolysis of the polycrystalline diamond circuit board at a temperature higher than or equal to 900 degrees Celsius. Also, the apparatus comprises a plurality of optical waveguides formed in the circuit board. Each optical waveguide comprises a core of polycrystalline silicon carbide surrounded by polycrystalline diamond. The polycrystalline diamond is formed by thermolysis of poly(hydridocarbyne) and the silicon carbide is formed by thermolysis of poly(methylsilyne).
일부 실시예에 따르면, 장치는 다결정질 다이아몬드로 이루어진 회로 기판을 포함한다. 회로 기판은 프리세라믹 폴리머 층의 열융해에 의해 형성된다. 회로 기판 내에 형성되는 복수의 튜브는 회로 기판의 하나 이상의 표면에 복수의 단자를 포함한다. 각 튜브는 각 튜브가 전류를 전도할 수 있도록 작동 가능한 그래핀 층을 포함한다. 그래핀의 각 층은 900℃ 이상인 온도에서 다결정질 다이아몬드 회로 기판의 열융해에 의해 형성된다. 또한, 상기 장치는 회로 기판 내에 형성된 복수의 광학 도파관을 포함한다. 각 광학 도파관은 다결정질 다이아몬드에 의해 둘러싸인 다결정질 실리콘 카바이드의 코어를 포함한다. 다결정질 다이아몬드는 폴리(히드리도카르빈)의 열융해에 의해 형성되고 실리콘 카바이드는 폴리(메틸실린)의 열융해에 의해 형성된다.
METAL-FREE MONOLITHIC EPITAXIAL GRAPHENE-ON-DIAMOND PWB WITH OPTICAL WAVEGUIDE
According to some embodiments of the present invention, an apparatus comprises a circuit board made of polycrystalline diamond. The circuit board is formed by thermolysis of a preceramic polymer layer. A plurality of tubes formed in the circuit board comprise a plurality of terminals on one or more surfaces of the circuit board. Each tube comprises a graphene layer operable to allow each tube to conduct a current. Each layer of graphene is formed by thermolysis of the polycrystalline diamond circuit board at a temperature higher than or equal to 900 degrees Celsius. Also, the apparatus comprises a plurality of optical waveguides formed in the circuit board. Each optical waveguide comprises a core of polycrystalline silicon carbide surrounded by polycrystalline diamond. The polycrystalline diamond is formed by thermolysis of poly(hydridocarbyne) and the silicon carbide is formed by thermolysis of poly(methylsilyne).
일부 실시예에 따르면, 장치는 다결정질 다이아몬드로 이루어진 회로 기판을 포함한다. 회로 기판은 프리세라믹 폴리머 층의 열융해에 의해 형성된다. 회로 기판 내에 형성되는 복수의 튜브는 회로 기판의 하나 이상의 표면에 복수의 단자를 포함한다. 각 튜브는 각 튜브가 전류를 전도할 수 있도록 작동 가능한 그래핀 층을 포함한다. 그래핀의 각 층은 900℃ 이상인 온도에서 다결정질 다이아몬드 회로 기판의 열융해에 의해 형성된다. 또한, 상기 장치는 회로 기판 내에 형성된 복수의 광학 도파관을 포함한다. 각 광학 도파관은 다결정질 다이아몬드에 의해 둘러싸인 다결정질 실리콘 카바이드의 코어를 포함한다. 다결정질 다이아몬드는 폴리(히드리도카르빈)의 열융해에 의해 형성되고 실리콘 카바이드는 폴리(메틸실린)의 열융해에 의해 형성된다.
METAL-FREE MONOLITHIC EPITAXIAL GRAPHENE-ON-DIAMOND PWB WITH OPTICAL WAVEGUIDE
광학 도파관을 갖는 무금속 모놀리식 에피택시 그래핀-온-다이아몬드 PWB
FINDLEY DAVID G (Autor:in)
19.09.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
H05K
PRINTED CIRCUITS
,
Gedruckte Schaltungen
/
B29C
Formen oder Verbinden von Kunststoffen
,
SHAPING OR JOINING OF PLASTICS
/
B33Y
ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
,
Additive (generative) Fertigung, d. h. die Herstellung von dreidimensionalen [3D] Bauteilen durch additive Abscheidung, additive Agglomeration oder additive Schichtung, z. B. durch 3D- Drucken, Stereolithografie oder selektives Lasersintern
/
C04B
Kalk
,
LIME
METAL-FREE MONOLITHIC EPITAXIAL GRAPHENE-ON-DIAMOND PWB WITH OPTICAL WAVEGUIDE
| Europäisches Patentamt | 2016
Metal-Free Monolithic Epitaxial Graphene-On-Diamond PWB with Optical Waveguide
| Europäisches Patentamt | 2016
Metal-free monolithic epitaxial graphene-on-diamond PWB
| Europäisches Patentamt | 2016
Fabrication of epitaxial SiGe optical waveguide structures
| British Library Online Contents | 2004
Gated Epitaxial Graphene Devices
| British Library Online Contents | 2012