Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SUBSTRATE INCLUDING A DIAMOND LAYER AND A COMPOSITE LAYER OF DIAMOND AND SILICON CARBIDE, AND, OPTIONALLY, SILICON
다층 기판은 복합체층 상에 CVD 성장된 다이아몬드층을 포함한다. 복합체층은 다이아몬드와 탄화규소 및 선택적으로 실리콘 입자를 포함한다. 복합체층에서 다이아몬드의 로딩 레벨(부피)은 ≥ 5%; ≥ 20%; ≥ 40%; 또는 ≥ 60%일 수 있다. 다층 기판은 광학 장치; 방사선 입자 또는 전자기파 검출용 검출기; 절삭, 드릴링, 기계가공, 밀링, 래핑, 연마, 코팅, 접합, 또는 납땜용 장치; 제동 장치; 씰; 열전도체; 전자기파 전도체; 고-부식성 환경, 강-산화성 환경, 또는 강-환원성 환경에서, 상승된 온도에서, 또는 극저온 조건 하에서 사용되는 화학적 불활성 장치; 또는 다른 장치, 웨이퍼 또는 필름의 연마 또는 평탄화용 장치로 사용될 수 있다.
A multilayer substrate includes a diamond layer CVD grown on a composite layer. The composite layer includes particles of diamond and silicon carbide and, optionally, silicon. A loading level (by volume) of diamond in the composite layer can be ≧5%; ≧20%; ≧40%; or ≧60%. The multilayer substrate can be used as an optical device; a detector for detecting radiation particles or electromagnetic waves; a device for cutting, drilling, machining, milling, lapping, polishing, coating, bonding, or brazing; a braking device; a seal; a heat conductor; an electromagnetic wave conductor; a chemically inert device for use in a corrosive environment, a strong oxidizing environment, or a strong reducing environment, at an elevated temperature, or under a cryogenic condition; or a device for polishing or planarization of other devices, wafers or films.
SUBSTRATE INCLUDING A DIAMOND LAYER AND A COMPOSITE LAYER OF DIAMOND AND SILICON CARBIDE, AND, OPTIONALLY, SILICON
다층 기판은 복합체층 상에 CVD 성장된 다이아몬드층을 포함한다. 복합체층은 다이아몬드와 탄화규소 및 선택적으로 실리콘 입자를 포함한다. 복합체층에서 다이아몬드의 로딩 레벨(부피)은 ≥ 5%; ≥ 20%; ≥ 40%; 또는 ≥ 60%일 수 있다. 다층 기판은 광학 장치; 방사선 입자 또는 전자기파 검출용 검출기; 절삭, 드릴링, 기계가공, 밀링, 래핑, 연마, 코팅, 접합, 또는 납땜용 장치; 제동 장치; 씰; 열전도체; 전자기파 전도체; 고-부식성 환경, 강-산화성 환경, 또는 강-환원성 환경에서, 상승된 온도에서, 또는 극저온 조건 하에서 사용되는 화학적 불활성 장치; 또는 다른 장치, 웨이퍼 또는 필름의 연마 또는 평탄화용 장치로 사용될 수 있다.
A multilayer substrate includes a diamond layer CVD grown on a composite layer. The composite layer includes particles of diamond and silicon carbide and, optionally, silicon. A loading level (by volume) of diamond in the composite layer can be ≧5%; ≧20%; ≧40%; or ≧60%. The multilayer substrate can be used as an optical device; a detector for detecting radiation particles or electromagnetic waves; a device for cutting, drilling, machining, milling, lapping, polishing, coating, bonding, or brazing; a braking device; a seal; a heat conductor; an electromagnetic wave conductor; a chemically inert device for use in a corrosive environment, a strong oxidizing environment, or a strong reducing environment, at an elevated temperature, or under a cryogenic condition; or a device for polishing or planarization of other devices, wafers or films.
SUBSTRATE INCLUDING A DIAMOND LAYER AND A COMPOSITE LAYER OF DIAMOND AND SILICON CARBIDE, AND, OPTIONALLY, SILICON
다이아몬드층 및 다이아몬드와 탄화규소 및 선택적으로 실리콘의 복합체층을 포함하는 기판
XU WEN QING (Autor:in) / EISSLER ELGIN E (Autor:in) / LIU CHAO (Autor:in) / TANNER CHARLES D (Autor:in) / KRAISINGER CHARLES J (Autor:in) / AGHAJANIAN MICHAEL (Autor:in)
27.09.2016
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
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