Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
A stacked structure (10) includes a first structure formed of a composite sintered body containing AlN and MgAl2O4 as main phases, and a second structure that is formed by a ceramic sintered body and stacked and bonded on the first structure. And, the difference between the coefficient of linear thermal expansion of the first structure and the second structure is 0.3 ppm/K or less. Thereby, damage to the joint between the first structure and the second structure due to thermal stress can be suppressed.
적층 구조체(10)는, AlN 및 MgAl2O4를 주상(主相)으로서 포함하는 복합 소결체에 의해 형성되는 제1 구조체와, 세라믹스 소결체에 의해 형성되고, 상기 제1 구조체에 적층되어 접합되는 제2 구조체를 구비한다. 그리고, 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체의 선열팽창계수의 차는, 0.3 ppm/K 이하이다. 이것에 의해, 열응력에 기인한 제1 구조체와 제2 구조체의 접합부의 손상을 억제할 수 있다.
STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
A stacked structure (10) includes a first structure formed of a composite sintered body containing AlN and MgAl2O4 as main phases, and a second structure that is formed by a ceramic sintered body and stacked and bonded on the first structure. And, the difference between the coefficient of linear thermal expansion of the first structure and the second structure is 0.3 ppm/K or less. Thereby, damage to the joint between the first structure and the second structure due to thermal stress can be suppressed.
적층 구조체(10)는, AlN 및 MgAl2O4를 주상(主相)으로서 포함하는 복합 소결체에 의해 형성되는 제1 구조체와, 세라믹스 소결체에 의해 형성되고, 상기 제1 구조체에 적층되어 접합되는 제2 구조체를 구비한다. 그리고, 상기 제1 구조체와 상기 제2 구조체의 선열팽창계수의 차는, 0.3 ppm/K 이하이다. 이것에 의해, 열응력에 기인한 제1 구조체와 제2 구조체의 접합부의 손상을 억제할 수 있다.
STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
적층 구조체 및 반도체 제조 장치 부재
NAGAI ASUMI (Autor:in) / NISHIMURA NOBORU (Autor:in) / YAMAGUCHI HIROFUMI (Autor:in)
07.10.2021
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
STACKED STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER
Europäisches Patentamt | 2023
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MEMBER AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS
| Europäisches Patentamt | 2022