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Method for manufacturing boron carbide sintered body for plasma device and Boron carbide sintered body manufactured by the same
The present invention relates to a manufacturing method of a boron carbide sintered body for a plasma device, and a boron carbide sintered body manufactured by the same. According to the present invention, by forming a crystalline pentaborane particle coating layer on the surface of boron carbide particles in the process of manufacturing a boron carbide sintered body applied to edge rings used in a plasma device in a semiconductor manufacturing process, the growth of the boron carbide particles in the sintered body can be effectively suppressed, and a decrease in sinter density and strength of the sintered body can be prevented. In addition, the crystalline pentaborane particle coating layer formed on the surface of the boron carbide particles of the boron carbide sintered body is exfoliated to the smallest size possible when the particles of the sintered body are exfoliated by plasma, and thus a decrease in the yield of wafers can be effectively prevented.
본 발명은 플라즈마 장치용 보론카바이드 소결체 제조방법 및 이에 따라 제조된 보론카바이드 소결체에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 반도체 제조공정의 플라즈마 장치에서 사용되는 엣지링 등에 적용되는 보론카바이드 소결체 제조 시, 보론카바이드 입자 표면에 결정질의 펜타보란 입자 코팅층을 형성해줌으로써, 소결체 내 보론카바이드 입자 성장을 효과적으로 억제하여 소결체의 소결 밀도 및 강도 저하를 방지할 수 있다. 또한, 보론카바이드 소결체의 보론카바이드 입자 표면에 형성된 결정질의 펜타보란 입자 코팅층은 소결체의 입자가 플라즈마로 인한 박락 시 최대한 적은 사이즈로 박락되게 하여 웨이퍼의 수율이 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
Method for manufacturing boron carbide sintered body for plasma device and Boron carbide sintered body manufactured by the same
The present invention relates to a manufacturing method of a boron carbide sintered body for a plasma device, and a boron carbide sintered body manufactured by the same. According to the present invention, by forming a crystalline pentaborane particle coating layer on the surface of boron carbide particles in the process of manufacturing a boron carbide sintered body applied to edge rings used in a plasma device in a semiconductor manufacturing process, the growth of the boron carbide particles in the sintered body can be effectively suppressed, and a decrease in sinter density and strength of the sintered body can be prevented. In addition, the crystalline pentaborane particle coating layer formed on the surface of the boron carbide particles of the boron carbide sintered body is exfoliated to the smallest size possible when the particles of the sintered body are exfoliated by plasma, and thus a decrease in the yield of wafers can be effectively prevented.
본 발명은 플라즈마 장치용 보론카바이드 소결체 제조방법 및 이에 따라 제조된 보론카바이드 소결체에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 반도체 제조공정의 플라즈마 장치에서 사용되는 엣지링 등에 적용되는 보론카바이드 소결체 제조 시, 보론카바이드 입자 표면에 결정질의 펜타보란 입자 코팅층을 형성해줌으로써, 소결체 내 보론카바이드 입자 성장을 효과적으로 억제하여 소결체의 소결 밀도 및 강도 저하를 방지할 수 있다. 또한, 보론카바이드 소결체의 보론카바이드 입자 표면에 형성된 결정질의 펜타보란 입자 코팅층은 소결체의 입자가 플라즈마로 인한 박락 시 최대한 적은 사이즈로 박락되게 하여 웨이퍼의 수율이 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
Method for manufacturing boron carbide sintered body for plasma device and Boron carbide sintered body manufactured by the same
플라즈마 장치용 보론카바이드 소결체 제조방법 및 이를 통해 제조된 보론카바이드 소결체
KIM DON HAN (Autor:in) / KIM JIN CHUL (Autor:in) / SEIL KWANG HEE (Autor:in) / LEE JIN HA (Autor:in)
07.07.2022
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
BORON CARBIDE SINTERED BODY AND ETCHER INCLUDING THE SAME
Europäisches Patentamt | 2020
|BORON CARBIDE SINTERED BODY AND ETCHER INCLUDING THE SAME
Europäisches Patentamt | 2020
|BORON CARBIDE SINTERED BODY AND ETCHING APPARATUS CONTAINING THE SAME
Europäisches Patentamt | 2021
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