Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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질화규소 기판
대형의 고열전도율의 질화규소 기판을 제작하면, 열전도율이 낮은 개소가 발생하여, 수율(합격율)이 저하된다고 하는 과제가 있었다. 기판의 중심부의 열전도율 λc와, 기판의 단부의 열전도율 λe의 비율인 λe/λc가 0.85 내지 1.15인 질화규소 기판. 상기 질화규소 기판은, 150㎜×150㎜ 이상의 사이즈인 것이 바람직하다. 상기 질화규소 기판은, 상기 λc 및 상기 λe가 100W/m·K 이상인 것이 바람직하다.
When a large-sized silicon nitride substrate having high thermal conductivity is produced, a portion where the thermal conductivity is low is generated, which causes reduction in yield (pass rate). Provided is a silicon nitride substrate in which λe/λc, which is a ratio of a thermal conductivity λc at a center portion of the substrate to a thermal conductivity λe at an end portion of the substrate, is 0.85 to 1.15. Preferably, the silicon nitride substrate has a size of 150 mm×150 mm or more. In the silicon nitride substrate, the λc and the λe each are preferably 100 W/m·K or more.
질화규소 기판
대형의 고열전도율의 질화규소 기판을 제작하면, 열전도율이 낮은 개소가 발생하여, 수율(합격율)이 저하된다고 하는 과제가 있었다. 기판의 중심부의 열전도율 λc와, 기판의 단부의 열전도율 λe의 비율인 λe/λc가 0.85 내지 1.15인 질화규소 기판. 상기 질화규소 기판은, 150㎜×150㎜ 이상의 사이즈인 것이 바람직하다. 상기 질화규소 기판은, 상기 λc 및 상기 λe가 100W/m·K 이상인 것이 바람직하다.
When a large-sized silicon nitride substrate having high thermal conductivity is produced, a portion where the thermal conductivity is low is generated, which causes reduction in yield (pass rate). Provided is a silicon nitride substrate in which λe/λc, which is a ratio of a thermal conductivity λc at a center portion of the substrate to a thermal conductivity λe at an end portion of the substrate, is 0.85 to 1.15. Preferably, the silicon nitride substrate has a size of 150 mm×150 mm or more. In the silicon nitride substrate, the λc and the λe each are preferably 100 W/m·K or more.
질화규소 기판
KAGA YOUICHIROU (Autor:in) / FUKUMOTO REI (Autor:in) / SHIMADA KEI (Autor:in)
05.10.2023
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch