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Method for Regenerating silicon nitride substrate
The present invention relates to a method for regenerating a silicon nitride substrate. More specifically, the method for regenerating a silicon nitride substrate comprises the steps of: classifying substrates which are below specifications among manufactured silicon nitride substrates; and performing a re-sintering process on the substrates which are below specifications. The re-sintering process is performed at a temperature of 1,600 to 1,900℃ and can improve the thermal conductivity of the substrates which are below specifications by 10 to 30 %. Accordingly, the amount of waste of manufactured silicon nitride substrates can be reduced and the economic efficiency of a substrate manufacturing process can be improved.
본 발명은 질화규소 기판의 재생 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제조된 질화규소 기판들 중 사양 미달의 기판을 분류하는 단계; 및 상기 사양 미달의 기판에 재-소결 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 재-소결 공정은 1600℃ 내지 1900℃의 온도에서 수행되고, 상기 재-소결 공정은 상기 사양 미달의 기판의 열전도도를 10% 내지 30% 향상시킬 수 있다.
Method for Regenerating silicon nitride substrate
The present invention relates to a method for regenerating a silicon nitride substrate. More specifically, the method for regenerating a silicon nitride substrate comprises the steps of: classifying substrates which are below specifications among manufactured silicon nitride substrates; and performing a re-sintering process on the substrates which are below specifications. The re-sintering process is performed at a temperature of 1,600 to 1,900℃ and can improve the thermal conductivity of the substrates which are below specifications by 10 to 30 %. Accordingly, the amount of waste of manufactured silicon nitride substrates can be reduced and the economic efficiency of a substrate manufacturing process can be improved.
본 발명은 질화규소 기판의 재생 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제조된 질화규소 기판들 중 사양 미달의 기판을 분류하는 단계; 및 상기 사양 미달의 기판에 재-소결 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 재-소결 공정은 1600℃ 내지 1900℃의 온도에서 수행되고, 상기 재-소결 공정은 상기 사양 미달의 기판의 열전도도를 10% 내지 30% 향상시킬 수 있다.
Method for Regenerating silicon nitride substrate
질화규소 기판의 재생 방법
SEUNGYEON LEE (Autor:in) / TAEHONG KIM (Autor:in) / KYUNGBOK EO (Autor:in) / EUNOK CHI (Autor:in)
02.01.2024
Patent
Elektronische Ressource
Koreanisch
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
SILICON NITRIDE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND SILICON NITRIDE SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2023
METHOD OF MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE AND SILICON NITRIDE SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2018
Silicon nitride substrate and method for producing silicon nitride substrate
| Europäisches Patentamt | 2017