Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
METHOD FOR OBTAINING SILICON CARBIDE
FIELD: silicon carbide production.SUBSTANCE: nvention relates to a technology for producing silicon carbide, which can be used for the production of semiconductor products, jewelry, ceramic materials and catalyst carriers. The method for producing silicon carbide includes preparing a charge from silicon-containing and carbon-containing components, loading the charge and heating the charge, while an organosilicon compound - an ester of orthosilicic acid and ethyl alcohol with the formula (C2H5O)4Si is used as a silicon-containing component, an aqueous solution of sucrose is used as a carbon-containing component in quantity, providing in the charge the ratio of carbon/silicon by weight from 1.30:1 to 1.39:1, the preparation of the mixture is carried out in the following ratio, wt. hours: ester of orthosilicic acid and ethyl alcohol 100, aqueous ammonia 25% solution 100, sucrose 72-77, water 110, while heating the mixture is carried out to 1600-1700°C in vacuum up to 1.33 Pa with exposure for 1- 2 hoursEFFECT: invention makes it possible to obtain nanosized silicon carbide with a purity of 99.99% and a yield of up to 99.5% from inexpensive, non-deficient and environmentally friendly substances.1 cl, 1 dwg, 1 tbl, 5 ex
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния, который может быть использован для производства изделий полупроводниковой техники, ювелирных изделий, керамических материалов и носителей катализаторов. Способ получения карбида кремния включает подготовку шихты из кремнийсодержащего и углеродсодержащего компонентов, загрузку шихты и нагрев шихты, при этом в качестве кремнийсодержащего компонента применяют кремнийорганическое соединение - эфир ортокремниевой кислоты и этилового спирта с формулой (C2H5O)4Si, в качестве углеродсодержащего компонента используют водный раствор сахарозы в количестве, обеспечивающем в шихте соотношение углерод/кремний по массе от 1,30:1 до 1,39:1, приготовление шихты осуществляют при следующем соотношении компонентов, мас. ч.: эфир ортокремниевой кислоты и этилового спирта 100, аммиак водный 25% раствор 100, сахароза 72-77, вода 110, при этом нагрев шихты ведут до 1600-1700°С в вакууме до 1,33 Па с выдержкой в течение 1-2 ч. Изобретение позволяет получить наноразмерный карбид кремния чистотой 99,99% и выходом до 99,5% из недорогих недефицитных и экологически чистых веществ. 1ил., 1 табл., 5 пр.
METHOD FOR OBTAINING SILICON CARBIDE
FIELD: silicon carbide production.SUBSTANCE: nvention relates to a technology for producing silicon carbide, which can be used for the production of semiconductor products, jewelry, ceramic materials and catalyst carriers. The method for producing silicon carbide includes preparing a charge from silicon-containing and carbon-containing components, loading the charge and heating the charge, while an organosilicon compound - an ester of orthosilicic acid and ethyl alcohol with the formula (C2H5O)4Si is used as a silicon-containing component, an aqueous solution of sucrose is used as a carbon-containing component in quantity, providing in the charge the ratio of carbon/silicon by weight from 1.30:1 to 1.39:1, the preparation of the mixture is carried out in the following ratio, wt. hours: ester of orthosilicic acid and ethyl alcohol 100, aqueous ammonia 25% solution 100, sucrose 72-77, water 110, while heating the mixture is carried out to 1600-1700°C in vacuum up to 1.33 Pa with exposure for 1- 2 hoursEFFECT: invention makes it possible to obtain nanosized silicon carbide with a purity of 99.99% and a yield of up to 99.5% from inexpensive, non-deficient and environmentally friendly substances.1 cl, 1 dwg, 1 tbl, 5 ex
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния, который может быть использован для производства изделий полупроводниковой техники, ювелирных изделий, керамических материалов и носителей катализаторов. Способ получения карбида кремния включает подготовку шихты из кремнийсодержащего и углеродсодержащего компонентов, загрузку шихты и нагрев шихты, при этом в качестве кремнийсодержащего компонента применяют кремнийорганическое соединение - эфир ортокремниевой кислоты и этилового спирта с формулой (C2H5O)4Si, в качестве углеродсодержащего компонента используют водный раствор сахарозы в количестве, обеспечивающем в шихте соотношение углерод/кремний по массе от 1,30:1 до 1,39:1, приготовление шихты осуществляют при следующем соотношении компонентов, мас. ч.: эфир ортокремниевой кислоты и этилового спирта 100, аммиак водный 25% раствор 100, сахароза 72-77, вода 110, при этом нагрев шихты ведут до 1600-1700°С в вакууме до 1,33 Па с выдержкой в течение 1-2 ч. Изобретение позволяет получить наноразмерный карбид кремния чистотой 99,99% и выходом до 99,5% из недорогих недефицитных и экологически чистых веществ. 1ил., 1 табл., 5 пр.
METHOD FOR OBTAINING SILICON CARBIDE
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ
IGNATEV KIRILL BORISOVICH (Autor:in) / PIIRAJNEN VIKTOR YUREVICH (Autor:in) / STAROVOJTOV VLADIMIR NIKOLAEVICH (Autor:in)
17.03.2022
Patent
Elektronische Ressource
Russisch
IPC:
B82B
Nanostrukturen, gestaltet durch die Manipulation von einzelnen Atomen, Molekülen, oder einer begrenzten Ansammlung von Atomen oder Molekülen als einzelne Einheiten
,
NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS
/
C01B
NON-METALLIC ELEMENTS
,
Nichtmetallische Elemente
/
B82Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen
,
SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES
/
C04B
Kalk
,
LIME
METHOD OF OBTAINING NANOSTRUCTURED SILICON-CARBIDE CERAMICS
| Europäisches Patentamt | 2015
METHOD FOR OBTAINING A WEAR-RESISTANT COMPOSITE MATERIAL BASED ON SILICON CARBIDE
| Europäisches Patentamt | 2021
METHOD OF OBTAINING ARTICLES OF COMPLEX SHAPE BASED ON REACTION-BONDED SILICON CARBIDE
| Europäisches Patentamt | 2020
METHOD FOR OBTAINING NANOCOMPOSITE OF GRAPHENE AND WOLFRAM CARBIDE
| Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2017