Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SINTERED OXIDE BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING SAID SINTERED OXIDE BODY
The sintered oxide body comprises indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), oxygen (O), and unavoidable impurities, and is characterized in that: the sintered oxide body is provided with an IGZO (111) phase comprising In, Ga and Zn at In:Ga:Zn = 1:1:1 by atom ratio and an IGZO phase containing more Zn than the IGZO (111) phase; the IGZO phase containing more Zn than the IGZO (111) phase occupies a surface area ratio of 1 to 10%, and the atom number ratio of In, Ga and Zn in the sintered oxide body is In:Ga:Zn = 1:1:(1.02 to 1.10). The objective of the present invention is to provide an IGZO sintered oxide body allowing for a reduction of oxygen concentration that is necessary during sputtering to obtain a film having a desired carrier concentration.
L'invention concerne un corps d'oxyde fritté qui comporte de l'indium (In), du gallium (Ga), du zinc (Zn), de l'oxygène (O) et des impuretés inévitables et qui est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une phase d'IGZO (111) comportant de l'In, du Ga et du Zn en un rapport atomique In:Ga:Zn = 1:1:1 et d'une phase d'IGZO contenant plus de Zn que la phase d'IGZO (111) ; en ce que la phase d'IGZO contenant plus de Zn que la phase d'IGZO (111) occupe une proportion surfacique de 1 à 10 % et le rapport des nombres d'atomes d'In, de Ga et de Zn dans le corps d'oxyde fritté est In:Ga:Zn = 1:1:(1,02 à 1,10). Le corps d'oxyde fritté d'IGZO selon la présente invention permet une réduction de la concentration en oxygène qui est nécessaire pendant la pulvérisation cathodique pour obtenir un film ayant la concentration de porteurs souhaitée.
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比でＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１からなるＩＧＺＯ（１１１）相と、ＩＧＺＯ（１１１）相よりもＺｎを多く含むＩＧＺＯ相とを備え、ＩＧＺＯ（１１１）相よりもＺｎを多く含むＩＧＺＯ相が面積比率で１～１０％であり、該酸化物焼結体のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数比が、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：（１．０２～１．１０）からなることを特徴とする酸化物焼結体。所望のキャリア濃度を有する膜を得るために必要なスパッタ時の酸素濃度を低減することが可能なＩＧＺＯ酸化物焼結体を提供することを課題とする。
SINTERED OXIDE BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING SAID SINTERED OXIDE BODY
The sintered oxide body comprises indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn), oxygen (O), and unavoidable impurities, and is characterized in that: the sintered oxide body is provided with an IGZO (111) phase comprising In, Ga and Zn at In:Ga:Zn = 1:1:1 by atom ratio and an IGZO phase containing more Zn than the IGZO (111) phase; the IGZO phase containing more Zn than the IGZO (111) phase occupies a surface area ratio of 1 to 10%, and the atom number ratio of In, Ga and Zn in the sintered oxide body is In:Ga:Zn = 1:1:(1.02 to 1.10). The objective of the present invention is to provide an IGZO sintered oxide body allowing for a reduction of oxygen concentration that is necessary during sputtering to obtain a film having a desired carrier concentration.
L'invention concerne un corps d'oxyde fritté qui comporte de l'indium (In), du gallium (Ga), du zinc (Zn), de l'oxygène (O) et des impuretés inévitables et qui est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une phase d'IGZO (111) comportant de l'In, du Ga et du Zn en un rapport atomique In:Ga:Zn = 1:1:1 et d'une phase d'IGZO contenant plus de Zn que la phase d'IGZO (111) ; en ce que la phase d'IGZO contenant plus de Zn que la phase d'IGZO (111) occupe une proportion surfacique de 1 à 10 % et le rapport des nombres d'atomes d'In, de Ga et de Zn dans le corps d'oxyde fritté est In:Ga:Zn = 1:1:(1,02 à 1,10). Le corps d'oxyde fritté d'IGZO selon la présente invention permet une réduction de la concentration en oxygène qui est nécessaire pendant la pulvérisation cathodique pour obtenir un film ayant la concentration de porteurs souhaitée.
インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比でＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１からなるＩＧＺＯ（１１１）相と、ＩＧＺＯ（１１１）相よりもＺｎを多く含むＩＧＺＯ相とを備え、ＩＧＺＯ（１１１）相よりもＺｎを多く含むＩＧＺＯ相が面積比率で１～１０％であり、該酸化物焼結体のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数比が、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：（１．０２～１．１０）からなることを特徴とする酸化物焼結体。所望のキャリア濃度を有する膜を得るために必要なスパッタ時の酸素濃度を低減することが可能なＩＧＺＯ酸化物焼結体を提供することを課題とする。
SINTERED OXIDE BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING SAID SINTERED OXIDE BODY
CORPS D'OXYDE FRITTÉ ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE COMPORTANT LEDIT CORPS D'OXYDE FRITTÉ
酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
KAKUTA KOJI (Autor:in) / OSADA KOZO (Autor:in)
01.10.2015
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
SINTERED OXIDE BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING SAID SINTERED OXIDE BODY
Europäisches Patentamt | 2016
Sintered oxide body and sputtering target comprising said sintered oxide body
| Europäisches Patentamt | 2015
SINTERED OXIDE BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING SAID SINTERED OXIDE BODY
| Europäisches Patentamt | 2015
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2016