Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
The purpose of the present invention is to provide an oxide sintered body for use as a sputtering target that enables stable DC sputtering, has a high rate of film formation, and in which few abnormal electrical discharge phenomena occur even during high-power film formation. This oxide sintered body contains, as constituent elements, zinc, niobium, and oxygen in an atomic ratio Nb/(Zn + Nb), where Zn represents the zinc content and Nb represents the niobium content, of 0.064–0.334, and has a relative density greater than 98% and a bulk resistance value of 1.0–5000 Ω∙cm.
L'objectif de la présente invention est de fournir un corps fritté constitué d'oxyde pouvant être utilisé en tant que cible de pulvérisation cathodique, ledit corps permettant une pulvérisation cathodique stable en courant continu, offrant un taux élevé de formation de film et donnant lieu à peu de phénomènes de décharge électrique anormale même pendant la formation d'un film sous une puissance élevée. Ce corps fritté constitué d'oxyde contient, en tant qu'éléments constitutifs, du zinc, du niobium et de l'oxygène dans un rapport atomique Nb/(Zn + Nb), où Zn représente la teneur en zinc et Nb représente la teneur en niobium, de 0,064 à 0,334, et il présente une densité relative supérieure à 98 % et une valeur de résistance volumique de 1,0 à 5000 Ω∙cm.
本発明の目的は、高パワー成膜時においても異常放電現象が少なく、高成膜レートであり、安定なＤＣスパッタリングが可能なスパッタリングターゲットに用いられる酸化物焼結体を提供することである。 構成元素として、亜鉛、ニオブ及び酸素を有する酸化物焼結体において、亜鉛、ニオブの含有量をそれぞれＺｎ、Ｎｂとしたときに、原子比でＮｂ／（Ｚｎ＋Ｎｂ）が０．０６４～０．３３４であり、相対密度が９８％を超え、バルク抵抗値が１．０～５０００Ω・ｃｍである酸化物焼結体。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
The purpose of the present invention is to provide an oxide sintered body for use as a sputtering target that enables stable DC sputtering, has a high rate of film formation, and in which few abnormal electrical discharge phenomena occur even during high-power film formation. This oxide sintered body contains, as constituent elements, zinc, niobium, and oxygen in an atomic ratio Nb/(Zn + Nb), where Zn represents the zinc content and Nb represents the niobium content, of 0.064–0.334, and has a relative density greater than 98% and a bulk resistance value of 1.0–5000 Ω∙cm.
L'objectif de la présente invention est de fournir un corps fritté constitué d'oxyde pouvant être utilisé en tant que cible de pulvérisation cathodique, ledit corps permettant une pulvérisation cathodique stable en courant continu, offrant un taux élevé de formation de film et donnant lieu à peu de phénomènes de décharge électrique anormale même pendant la formation d'un film sous une puissance élevée. Ce corps fritté constitué d'oxyde contient, en tant qu'éléments constitutifs, du zinc, du niobium et de l'oxygène dans un rapport atomique Nb/(Zn + Nb), où Zn représente la teneur en zinc et Nb représente la teneur en niobium, de 0,064 à 0,334, et il présente une densité relative supérieure à 98 % et une valeur de résistance volumique de 1,0 à 5000 Ω∙cm.
本発明の目的は、高パワー成膜時においても異常放電現象が少なく、高成膜レートであり、安定なＤＣスパッタリングが可能なスパッタリングターゲットに用いられる酸化物焼結体を提供することである。 構成元素として、亜鉛、ニオブ及び酸素を有する酸化物焼結体において、亜鉛、ニオブの含有量をそれぞれＺｎ、Ｎｂとしたときに、原子比でＮｂ／（Ｚｎ＋Ｎｂ）が０．０６４～０．３３４であり、相対密度が９８％を超え、バルク抵抗値が１．０～５０００Ω・ｃｍである酸化物焼結体。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
CORPS FRITTÉ CONSTITUÉ D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
OMI KENJI (Autor:in) / ITOH KENICHI (Autor:in) / HARA SHINICHI (Autor:in)
18.02.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2017
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018