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PIEZOELECTRIC FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PROVIDED WITH SAME, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
[Problem] To provide a piezoelectric film having high piezoelectric characteristics, a piezoelectric element provided with the piezoelectric film, and a liquid discharge device. [Solution] This piezoelectric film is formed by a vapor-phase growth method, and includes a perovskite-type oxide obtained by doping a perovskite-type oxide represented by general formula P with 0.2 mol% to 0.5 mol% of Si, the ratio of the peak intensity of a pyrochlore phase with respect to the combined total of the peak intensities in each of the (100), (001), (110), (101), and (111) plane directions being 0.25 or less. General formula P: A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba]Oy (In formula P, A is an A-site element having Pb as a primary component, and Zr, Ti, and Nb are B-site elements, x is greater than 0 and less than 1, and a is at least 0.1 and less than 0.3.)
Le problème décrit par l'invention est de procurer un film piézoélectrique possédant de fortes propriétés piézoélectriques, un élément piézoélectrique pourvu du film piézoélectrique, et un dispositif d'évacuation de liquide. La solution de l'invention porte sur un film piézoélectrique qui est formé par un procédé de croissance en phase vapeur, et comprend un oxyde du type pérovskite obtenu par dopage d'un oxyde du type pérovskite représenté par la formule générale P avec de 0,2 % molaire à 0,5 % molaire de Si, le rapport de l'intensité maximale d'une phase pyrochlore relativement au total combiné des intensités maximales dans chacune des directions des plans (100), (001), (110), (101) et (111) étant inférieur ou égal à 0,25. Formule générale P : A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba]Oy (Dans la formule P, A est un élément de site A contenant Pb comme constituant primaire, et Zr, Ti et Nb sont des éléments de site B, x est supérieur à 0 et inférieur à 1, et a est supérieur ou égal à 0,1 et inférieur à 0,3.)
【課題】圧電特性が高い圧電体膜及びその圧電体膜を備えた圧電素子及び液体吐出装置を提供する。 【解決手段】本発明の圧電体膜は、気相成長法により成膜されてなる圧電体膜であって、下記一般式Ｐで表されるペロブスカイト型酸化物にＳｉが０．２ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下ドープされてなるペロブスカイト型酸化物を含み、Ｘ線回折法により測定されたペロブスカイト相の（１００）、（００１）、（１１０）、（１０１）及び（１１１）の各面方位におけるピーク強度の総和に対するパイロクロア相のピーク強度の比が０．２５以下である。 Ａ１＋δ［（ＺｒｘＴｉ１－ｘ）１－ａＮｂａ］Ｏｙ・・・一般式Ｐ 但し、式Ｐ中、ＡはＰｂを主成分とするＡサイト元素、Ｚｒ，Ｔｉ，及びＮｂはＢサイト元素。ｘは０超１未満、ａは０．１以上０．３未満。
PIEZOELECTRIC FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PROVIDED WITH SAME, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
[Problem] To provide a piezoelectric film having high piezoelectric characteristics, a piezoelectric element provided with the piezoelectric film, and a liquid discharge device. [Solution] This piezoelectric film is formed by a vapor-phase growth method, and includes a perovskite-type oxide obtained by doping a perovskite-type oxide represented by general formula P with 0.2 mol% to 0.5 mol% of Si, the ratio of the peak intensity of a pyrochlore phase with respect to the combined total of the peak intensities in each of the (100), (001), (110), (101), and (111) plane directions being 0.25 or less. General formula P: A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba]Oy (In formula P, A is an A-site element having Pb as a primary component, and Zr, Ti, and Nb are B-site elements, x is greater than 0 and less than 1, and a is at least 0.1 and less than 0.3.)
Le problème décrit par l'invention est de procurer un film piézoélectrique possédant de fortes propriétés piézoélectriques, un élément piézoélectrique pourvu du film piézoélectrique, et un dispositif d'évacuation de liquide. La solution de l'invention porte sur un film piézoélectrique qui est formé par un procédé de croissance en phase vapeur, et comprend un oxyde du type pérovskite obtenu par dopage d'un oxyde du type pérovskite représenté par la formule générale P avec de 0,2 % molaire à 0,5 % molaire de Si, le rapport de l'intensité maximale d'une phase pyrochlore relativement au total combiné des intensités maximales dans chacune des directions des plans (100), (001), (110), (101) et (111) étant inférieur ou égal à 0,25. Formule générale P : A1+δ[(ZrxTi1-x)1-aNba]Oy (Dans la formule P, A est un élément de site A contenant Pb comme constituant primaire, et Zr, Ti et Nb sont des éléments de site B, x est supérieur à 0 et inférieur à 1, et a est supérieur ou égal à 0,1 et inférieur à 0,3.)
【課題】圧電特性が高い圧電体膜及びその圧電体膜を備えた圧電素子及び液体吐出装置を提供する。 【解決手段】本発明の圧電体膜は、気相成長法により成膜されてなる圧電体膜であって、下記一般式Ｐで表されるペロブスカイト型酸化物にＳｉが０．２ｍｏｌ％以上０．５ｍｏｌ％以下ドープされてなるペロブスカイト型酸化物を含み、Ｘ線回折法により測定されたペロブスカイト相の（１００）、（００１）、（１１０）、（１０１）及び（１１１）の各面方位におけるピーク強度の総和に対するパイロクロア相のピーク強度の比が０．２５以下である。 Ａ１＋δ［（ＺｒｘＴｉ１－ｘ）１－ａＮｂａ］Ｏｙ・・・一般式Ｐ 但し、式Ｐ中、ＡはＰｂを主成分とするＡサイト元素、Ｚｒ，Ｔｉ，及びＮｂはＢサイト元素。ｘは０超１未満、ａは０．１以上０．３未満。
PIEZOELECTRIC FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PROVIDED WITH SAME, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
FILM PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE LE COMPRENANT, ET DISPOSITIF D'ÉVACUATION DE LIQUIDE
圧電体膜及びそれを備えた圧電素子、及び液体吐出装置
MURAKAMI NAOKI (Autor:in)
02.06.2016
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
PIEZOELECTRIC FILM AND PIEZOELECTRIC ELEMENT INCLUDING THE SAME, AND LIQUID DISCHARGE DEVICE
| Europäisches Patentamt | 2016
Piezoelectric film, piezoelectric element including the same, and liquid discharge apparatus
| Europäisches Patentamt | 2018
PIEZOELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT INCLUDING THE SAME, AND LIQUID DISCHARGE APPARATUS
| Europäisches Patentamt | 2017
| Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2024