Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, OXIDE SINTERED BODY, AND THIN FILM TRANSISTOR
An oxide sintered body including: an In2O3 crystal; and a crystal A that has diffraction peaks in incident angle (2θ) ranges stipulated by (A)-(F), as observed through X-ray (Cu-Kα ray) diffraction measurement. (A): 31.0°-34.0°; (B): 36.0°-39.0°; (C): 50.0°-54.0°; (D): 53.0°-57.0°; (E): 9.0°-11.0°; (F): 19.0°-21.0°.
Cette invention concerne un corps en oxyde fritté comprenant : un cristal d'In2O3 ; et un cristal A qui présente des pics de diffraction dans les plages d'angles incidents (2θ) définies par (A)-(F), comme mis en évidence par la mesure de diffraction des rayons X (rayons Cu-Kα). (A) : 31,0-34,0° ; (B) : 36,0-39,0° ; (C) : 50,0-54,0° ; (D) : 53,0-57,0° ; (E) : 9,0-11,0° ; (F) : 19,0-21,0°.
Ｉｎ２Ｏ３結晶及び下記(Ａ)～(Ｆ)に規定するＸ線（Ｃｕ－Ｋα線）回折測定により観測される入射角（２θ）の範囲で回折ピークを有する結晶Ａを含む酸化物焼結体。 ３１．０°～３４．０°・・・（Ａ） ３６．０°～３９．０°・・・（Ｂ） ５０．０°～５４．０°・・・（Ｃ） ５３．０°～５７．０°・・・（Ｄ） ９．０°～１１．０°・・・（Ｅ） １９．０°～２１．０°・・・（Ｆ）
AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, OXIDE SINTERED BODY, AND THIN FILM TRANSISTOR
An oxide sintered body including: an In2O3 crystal; and a crystal A that has diffraction peaks in incident angle (2θ) ranges stipulated by (A)-(F), as observed through X-ray (Cu-Kα ray) diffraction measurement. (A): 31.0°-34.0°; (B): 36.0°-39.0°; (C): 50.0°-54.0°; (D): 53.0°-57.0°; (E): 9.0°-11.0°; (F): 19.0°-21.0°.
Cette invention concerne un corps en oxyde fritté comprenant : un cristal d'In2O3 ; et un cristal A qui présente des pics de diffraction dans les plages d'angles incidents (2θ) définies par (A)-(F), comme mis en évidence par la mesure de diffraction des rayons X (rayons Cu-Kα). (A) : 31,0-34,0° ; (B) : 36,0-39,0° ; (C) : 50,0-54,0° ; (D) : 53,0-57,0° ; (E) : 9,0-11,0° ; (F) : 19,0-21,0°.
Ｉｎ２Ｏ３結晶及び下記(Ａ)～(Ｆ)に規定するＸ線（Ｃｕ－Ｋα線）回折測定により観測される入射角（２θ）の範囲で回折ピークを有する結晶Ａを含む酸化物焼結体。 ３１．０°～３４．０°・・・（Ａ） ３６．０°～３９．０°・・・（Ｂ） ５０．０°～５４．０°・・・（Ｃ） ５３．０°～５７．０°・・・（Ｄ） ９．０°～１１．０°・・・（Ｅ） １９．０°～２１．０°・・・（Ｆ）
AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, OXIDE SINTERED BODY, AND THIN FILM TRANSISTOR
FILM SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'OXYDE AMORPHE, CORPS EN OXYDE FRITTÉ ET TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
非晶質酸化物半導体膜、酸化物焼結体、及び薄膜トランジスタ
INOUE KAZUYOSHI (Autor:in) / SHIBATA MASATOSHI (Autor:in)
09.08.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
| Europäisches Patentamt | 2019
| Europäisches Patentamt | 2019
OXIDE SINTERED BODY, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND THIN FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2015
| Europäisches Patentamt | 2022
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR
| Europäisches Patentamt | 2019