Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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ASYMMETRIC SELECTOR ELEMENT FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES
Embedded non-volatile memory structures having asymmetric selector elements are described. In an example, a memory device includes a word line. An asymmetric selector element is above the word line. The asymmetric selector element includes a first electrode material layer, a selector material layer on the first electrode material layer, and a second electrode material layer on the selector material layer, the second electrode material layer different in composition than the first electrode material layer. A bipolar memory element is above the word line, the bipolar memory element on the asymmetric selector element. A bit line is above the word line.
L'invention concerne des structures de mémoire non volatile intégrées comportant des éléments sélecteurs asymétriques. Selon un exemple, un dispositif mémoire comprend un canal mot. Un élément sélecteur asymétrique se trouve au-dessus du canal mot. L'élément sélecteur asymétrique comprend une première couche de matériau d'électrode, une couche de matériau sélecteur sur la première couche de matériau d'électrode, et une seconde couche de matériau d'électrode sur la couche de matériau sélecteur, la seconde couche de matériau d'électrode ayant une composition différente de celle de la première couche de matériau d'électrode. Un élément mémoire bipolaire se trouve au-dessus du canal mot, l'élément mémoire bipolaire se trouvant sur l'élément sélecteur asymétrique. Un canal bit se trouve au-dessus du canal mot.
ASYMMETRIC SELECTOR ELEMENT FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES
Embedded non-volatile memory structures having asymmetric selector elements are described. In an example, a memory device includes a word line. An asymmetric selector element is above the word line. The asymmetric selector element includes a first electrode material layer, a selector material layer on the first electrode material layer, and a second electrode material layer on the selector material layer, the second electrode material layer different in composition than the first electrode material layer. A bipolar memory element is above the word line, the bipolar memory element on the asymmetric selector element. A bit line is above the word line.
L'invention concerne des structures de mémoire non volatile intégrées comportant des éléments sélecteurs asymétriques. Selon un exemple, un dispositif mémoire comprend un canal mot. Un élément sélecteur asymétrique se trouve au-dessus du canal mot. L'élément sélecteur asymétrique comprend une première couche de matériau d'électrode, une couche de matériau sélecteur sur la première couche de matériau d'électrode, et une seconde couche de matériau d'électrode sur la couche de matériau sélecteur, la seconde couche de matériau d'électrode ayant une composition différente de celle de la première couche de matériau d'électrode. Un élément mémoire bipolaire se trouve au-dessus du canal mot, l'élément mémoire bipolaire se trouvant sur l'élément sélecteur asymétrique. Un canal bit se trouve au-dessus du canal mot.
ASYMMETRIC SELECTOR ELEMENT FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES
ÉLÉMENT SÉLECTEUR ASYMÉTRIQUE DE DISPOSITIFS MÉMOIRES BIPOLAIRES BASSE TENSION
MAJHI PRASHANT (Autor:in) / SHARMA ABHISHEK A (Autor:in) / KARPOV ELIJAH V (Autor:in) / PILLARISETTY RAVI (Autor:in) / DOYLE BRIAN S (Autor:in)
04.04.2019
Patent
Elektronische Ressource
Englisch
IPC:
H10N
Oxide Resistive Memory with Functionalized Graphene as Built-in Selector Element
| British Library Online Contents | 2014
| TIBKAT | Nachgewiesen 12.1994(1993)-18.2000; 2001-2016 ; damit Erscheinen eingestellt
A Case for High Temperature, High Voltage SiC Bipolar Devices
| British Library Online Contents | 2007
Approaches to Stabilizing the Forward Voltage of Bipolar SiC Devices
| British Library Online Contents | 2004
TIBKAT | 2006