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OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
The oxide sintered body according to one aspect of an embodiment of the present invention contains a tin oxide and a gallium oxide, wherein the content of the gallium oxide satisfies 20 mol% < Ga2O3 ≤ 90 mol%, and the oxide sintered body has a specific resistance of 1 × 103 Ω·cm or less.
Le corps fritté d'oxyde selon un aspect d'un mode de réalisation de la présente invention contient un oxyde d'étain et un oxyde de gallium, la teneur en oxyde de gallium satisfaisant à 20 % en moles < Ga2O3 ≤ 90 % en moles et le corps fritté à base d'oxyde a une résistance spécifique de 1 × 103 Ω·cm ou moins.
実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、酸化スズと、酸化ガリウムとを含む酸化物焼結体であって、酸化ガリウムの含有量が20mol%<Ga2O3≦90mol%であり、比抵抗が1×103Ω・cm以下である。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
The oxide sintered body according to one aspect of an embodiment of the present invention contains a tin oxide and a gallium oxide, wherein the content of the gallium oxide satisfies 20 mol% < Ga2O3 ≤ 90 mol%, and the oxide sintered body has a specific resistance of 1 × 103 Ω·cm or less.
Le corps fritté d'oxyde selon un aspect d'un mode de réalisation de la présente invention contient un oxyde d'étain et un oxyde de gallium, la teneur en oxyde de gallium satisfaisant à 20 % en moles < Ga2O3 ≤ 90 % en moles et le corps fritté à base d'oxyde a une résistance spécifique de 1 × 103 Ω·cm ou moins.
実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、酸化スズと、酸化ガリウムとを含む酸化物焼結体であって、酸化ガリウムの含有量が20mol%<Ga2O3≦90mol%であり、比抵抗が1×103Ω・cm以下である。
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
TAKEYA SHUNSUKE (Autor:in)
23.05.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2017
|OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2016
|OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET COMPRISING OXIDE SINTERED BODY
Europäisches Patentamt | 2018